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【急求】氧等离子体刻蚀对硅片表面的影响已有1人参与
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我看好多做平面微型超级电容器的都用等离子体刻蚀硅片(其上有300nm二氧化硅层)，这么做除了刻蚀表面的杂质还可以活化表面么？刻蚀多久比较好，太久会不会把二氧化硅层刻蚀掉？有文献可以参考么？！？ 发自小木虫Android客户端 |
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金属材料论文润色/翻译怎么收费?
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15190052720
新虫 (正式写手)
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月牙儿的微笑
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