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单胞和原胞不同时能带计算的选择 已有1人参与
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密勒指数是在单胞中的概念，对于原胞是没有密勒指数这个概念的。 那如果说我想要计算某一方向上的能带就应该用单胞去算或者将原胞的换算成单胞，这样才是正确的。那是不是想要体现化合物性质的时候需要用单胞计算能带才对。 那么问题来了，对于Si来说我们都知道他是一个间接带隙半导体，其单胞能带却显示直接带隙，对于能带来说，在单胞和原胞不一样的时候到底哪一个得到的能带才是对的呢？ 不太明白这个问题，请大家解答，谢谢。 |
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| 你可能对原胞和单胞弄混了。首先是原胞就有定义上的区分，一种是固体物理上的定义，以基矢a1,a2,a3为棱边构成的平面六面体的重复单元是固体物理学原胞，格点只能够位于顶点上，又称为初基原胞，这也就是我们的primitive cell。第二种是结晶学上的定义，基矢是以a,b,c表示，体积不一定最小，格点可以位于体心、面心，用的是米勒指数表示，也就是conventional cell，你说的unit cell其实就是结晶学上原胞，可以详见维基百科的定义“ The unit cell is defined as the smallest repeating unit having the full symmetry of the crystal structure，the geometry of the unit cell is defined as a parallelepiped, providing six lattice parameters taken as the lengths of the cell edges (a, b, c) and the angles between them (α, β, γ)” |
11楼2018-07-05 17:36:00
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