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纳米线器件制备 已有1人参与
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各位大虾，在下近读一篇文章，看到一个纵向的纳米线器件如下图所示（附论文），对于其中工艺步骤有些不明白 ，而文章并无明确阐述。在下一向做理论工作，没有做过实验，所以对于工艺如同文盲，望各位赐教！  疑问： 1. 纳米线侧面的栅介质和栅金属是如何生长上去的？ 2.如何保证在生长栅介质和金属的时候保证InAs NW上不生长介质与金属？  |
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2016-08-27 13:51:31, 1.94 M
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 纳米器件工艺 |
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
破卷天涯: 金币+50, ★★★★★最佳答案 2016-09-05 11:39:18
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文章里写的很清楚啊。 氧化铝和氧化铪是用ALD做的。应该是整体全部做好，把纳米线也覆盖了，然后用光刻胶进行表面涂敷，光刻胶的高度低于纳米线的高度，把纳米线顶端暴露，再用刻蚀或者腐蚀的方法，把顶部的氧化铪和氧化铝刻掉，形成栅绝缘介质的图形化。TiN和氧化硅他也说是ALD，姑且信之，我认为溅射的可能性更大，图形化是和上面一样的方法一起做的。 栅金属，写的是蒸发，溅射也可。图形化是做lift off，这一步文章里一笔带过，从电镜图上看，应该很难。 你的第二个问题，上面的工艺流程里面已经讲了，用的是刻蚀（腐蚀）和lift off。 整个工艺流程对于做器件来说还是有点儿复杂的，国内估计没几个实验室能跑通这种东西。从衬底和各类介质材料到各种加工手段，还有工艺难度，估计也就中科院微电子所，中科大，上交这种地方能尝试做一下，还不能保证能做好。 finfet的延伸，挺好的思路。 |
2楼2016-08-29 11:05:21
3楼2016-09-05 11:41:22
