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hsx397529552

木虫 (正式写手)

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[交流] XPS元素峰位由于荷电效应引起的偏移量

各位虫友：
大家好，我通过阳极氧化制备了镁的阳极氧化膜MgO，通过溅射Ar离子获取深度信息。发现镁元素与氧元素在前2min溅射获得的峰位与标准谱图一致，3到6min分别向高能端移动了0.65和0.3eV，请问这个现象正常吗？
由于阳极氧化膜导电性的下降，势必造成峰位向高能端移动，但是两个元素峰位的移动量应当是相等的嘛？还是没有必然联系，请大神指导，谢谢啦

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1楼 2016-08-15 06:43:54

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xuchaoUU

金虫 (初入文坛)

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★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
hsx397529552: 金币+5, 谢谢您专业的回答 2016-08-23 21:44:58

0.35 eV的差别应该是由样品本身的物质造成的变化的可能性比较大。不知道你用的什么做的calibration，这点还是很重要的。
如果是MgO/Mg这种样品有charging的话，那应该是最开始测试的时候是charging最严重的时候，因为不导电的MgO层最厚，所以charging的可能性比较小
建议你选择一个比较好的reference peak做了calibration再做比较，这样你比较不同样品的peak的binding energy才有意义
我猜你的O 1s最开始的时候应该会有2，3个峰吧，应该先确定了哪个峰对应的是哪个物质，这样才能进行比较，如果连峰对应的都是不同物质，那比较还有意义？最开始的样品很有可能有一些其他的物质，contamination，做合成时候残留的东西，这个可以对应着C 1s看