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单层MoS2晶体管里迁移率(mobility)计算区域为什么是线性区
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Nature nanotechnolog发表的“Single-layer MoS2 transistors” (DOI: 10.1038/NNANO.2010.279)中，在计算场效应迁移率的时候，使用了下图第一段曲线的数据（图片在附件），并用了线性区的公式计算mobility，u=[dIds/dVbg] × [L/(WCiVds)]，但是这一段不应该是饱和区域或者未达到阈值的区域吗？求教为何使用了线性区的公式，谢谢！ I-V curve.png |
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xpengpengx
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这个没什么定论的，一般漏源电压很小如0.01V，器件还没达到饱和 所以通常通过取漏源电压Vds较小测得的转移曲线来计算线性迁移率；当Vds较大时（大于饱和电压），器件处于饱和状态，所以通过较大Vds 下测的转移来计算饱和迁移率 有些期刊会同时要求饱和和线性迁移率 发自小木虫IOS客户端 |
4楼2016-07-23 16:26:04
xpengpengx
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2楼2016-07-23 14:44:53
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能问一下为什么有些文章用线性区，有些用饱和区吗？我看大多小分子半导体都会用饱和区，MoS2用线性区，谢谢。另外，麻烦点一下应援，不然我不能给你发金币。 发自小木虫IOS客户端 |
3楼2016-07-23 15:49:16
xpengpengx
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Eicky5楼2016-07-23 16:27:39
