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万能的青年

铜虫 (正式写手)

[求助] 制备的样品中含碳 XPS的C1s校准怎么办 已有1人参与

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万能的青年

铜虫 (正式写手)

对于为什么需要C校正的解释,自己从仪器论坛上粘贴复制的:
        对于绝缘体样品或导电性能不好的样品,经X射线辐照后,其表面会产生一定的电荷积累,主要是荷正电荷。样品表面荷电相当于给从表面出射的自由的光电子增加了一定的额外电压, 使得测得的结合能比正常的要高。样品荷电问题非常复杂,一般难以用某一种方法彻底消除。在实际的XPS分析中,一般采用内标法进行校准。最常用的方法是用真空系统中最常见的有机污染碳的C 1s的结合能为284.6 eV,进行校准。
一般在测试结果中都会单独给出荷电效应的校正值,只要将这个校正值分别加在结合能那一列数据中就可以。这样您得到的图谱就可以直接进行元素化学状态的分析了。
4楼2016-06-30 21:27:10
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Ronny_chou

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
wonderfulong: 金币+2, 谢谢应助,欢迎常来交流。 2016-06-30 23:12:02
首先我不懂哈,今天刚去测了XPS,那个老师说将测得的C峰值能量与标准碳比较,得出差值,然后后续元素的峰值能量都加上该差值,再去对表~
2楼2016-06-30 20:55:11
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万能的青年

铜虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by Ronny_chou at 2016-06-30 20:55:11
首先我不懂哈,今天刚去测了XPS,那个老师说将测得的C峰值能量与标准碳比较,得出差值,然后后续元素的峰值能量都加上该差值,再去对表~

感谢回答

发自小木虫IOS客户端
3楼2016-06-30 20:57:17
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万能的青年

铜虫 (正式写手)

复制粘贴自仪器论坛:你好:你的样品金属氧化物应该是因为导电性不好导致荷电效应,所以需要用C 1s内标消除荷电效应。一般情况,将表面C 1s位置校准到285.0 eV或者284.8 eV。但是有些情况需要特殊考虑。例如有的用户样品制备过程会用到配体增加纳米粒子的分散性,配体中的C 1s的位置就不在285 eV,有些可能在289 eV。你给出的样品信息不全面,不能准确回答你的问题,仅供参考!
5楼2016-06-30 21:28:05
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