24小时热门版块排行榜

返回列表

wu258332127

金虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 916.3
散金: 8
帖子: 54
在线: 48.5小时
虫号: 1790154
注册: 2012-05-02
专业: 基础物理学

[交流] 拓扑绝缘体之Bi2T3(SOC+Vdw)

问题：对于算Bi2Te3薄膜的时候1-5层时候，在OPT的时候并未加入vdw_kernel.bindat得到200步都不收敛，我组陈博士建议考虑结构问题；但是我没有变化该结构继续进行SCF时，在进行SCF时候加入单独含vdw计算得出的vdw_kenerl.bindat，可以很快的完成该工作；若不加该bindat则无法进行，会出错；之后再进行能带计算，给出4个能带结果。我的问题就是：（1）由于在编译vasp的时候，我们去掉了-DXACGH和-VDVVEF（第一性原理网站上有）这两项后进行make编译VASP，所以并不能进行非共线运算，而且不能同时vdw+soc，这样不会产生以上那个bindat项目，有帖说明是由于打开了SOC后会自动不计算vdw,所以我们才把单独的vdw计算的bindat加入到计算vdw+soc时候不知道可否？（2）非共线计算的价值在什么地方？我算的考虑vdw+soc都会出现报错：非共线运算不能够实现，但是还是可以计算DOS和能带，这里会存在什么问题吗？

3QL.png

4QL.png

5QL.png

回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

VASP

» 猜你喜欢

1楼 2016-06-13 10:46:57

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

有何不可琼

银虫 (著名写手)

应助: 4 (幼儿园)
金币: 2768.7
散金: 102
红花: 18
帖子: 1453
在线: 140.7小时
虫号: 1624331
注册: 2012-02-18
性别: MM
专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖

我算过这个。我用的集群，都编译好了，所以，没有自己去编译。以前的计算结果，有人没有加vdw，有人加了，用vdw的方法也不尽相同，有人用optPBE，有人用P86等。我记得有人在文章中测试过，范德瓦尔斯作用对Bi2X3类材料，主要是影响其结构，对其电子性质的影响很小。所以，一般结构优化的时候，加vdw，算静态能带这些一般不加vdw，但要考虑soc。

发自小木虫Android客户端