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wu258332127金虫 (小有名气)
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[交流]
拓扑绝缘体之Bi2T3(SOC+Vdw)
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问题：对于算Bi2Te3薄膜的时候1-5层时候，在OPT的时候并未加入vdw_kernel.bindat得到200步都不收敛，我组陈博士建议考虑结构问题；但是我没有变化该结构继续进行SCF时，在进行SCF时候加入单独含vdw计算得出的vdw_kenerl.bindat，可以很快的完成该工作；若不加该bindat则无法进行，会出错；之后再进行能带计算，给出4个能带结果。我的问题就是：（1）由于在编译vasp的时候，我们去掉了-DXACGH和-VDVVEF（第一性原理网站上有）这两项后进行make编译VASP，所以并不能进行非共线运算，而且不能同时vdw+soc，这样不会产生以上那个bindat项目，有帖说明是由于打开了SOC后会自动不计算vdw,所以我们才把单独的vdw计算的bindat加入到计算vdw+soc时候不知道可否？（2）非共线计算的价值在什么地方？我算的考虑vdw+soc都会出现报错：非共线运算不能够实现，但是还是可以计算DOS和能带，这里会存在什么问题吗？ 3QL.png  4QL.png  5QL.png |
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我算过这个。我用的集群，都编译好了，所以，没有自己去编译。以前的计算结果，有人没有加vdw，有人加了，用vdw的方法也不尽相同，有人用optPBE，有人用P86等。我记得有人在文章中测试过，范德瓦尔斯作用对Bi2X3类材料，主要是影响其结构，对其电子性质的影响很小。所以，一般结构优化的时候，加vdw，算静态能带这些一般不加vdw，但要考虑soc。 发自小木虫Android客户端 |
18楼2016-12-02 20:57:40
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2楼2016-06-13 10:58:17
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3楼2016-06-13 11:23:42
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7楼2016-06-13 11:31:56
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8楼2016-06-13 11:36:03
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9楼2016-06-13 11:41:18
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10楼2016-06-13 12:02:52
