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wu258332127金虫 (小有名气)
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[交流]
拓扑绝缘体之Bi2T3(SOC+Vdw)
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问题：对于算Bi2Te3薄膜的时候1-5层时候，在OPT的时候并未加入vdw_kernel.bindat得到200步都不收敛，我组陈博士建议考虑结构问题；但是我没有变化该结构继续进行SCF时，在进行SCF时候加入单独含vdw计算得出的vdw_kenerl.bindat，可以很快的完成该工作；若不加该bindat则无法进行，会出错；之后再进行能带计算，给出4个能带结果。我的问题就是：（1）由于在编译vasp的时候，我们去掉了-DXACGH和-VDVVEF（第一性原理网站上有）这两项后进行make编译VASP，所以并不能进行非共线运算，而且不能同时vdw+soc，这样不会产生以上那个bindat项目，有帖说明是由于打开了SOC后会自动不计算vdw,所以我们才把单独的vdw计算的bindat加入到计算vdw+soc时候不知道可否？（2）非共线计算的价值在什么地方？我算的考虑vdw+soc都会出现报错：非共线运算不能够实现，但是还是可以计算DOS和能带，这里会存在什么问题吗？ 3QL.png  4QL.png  5QL.png |
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 VASP |
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7楼2016-06-13 11:31:56
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13楼2016-06-13 13:21:12
