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wu258332127

金虫 (小有名气)

[交流] 拓扑绝缘体之Bi2T3(SOC+Vdw)

问题:对于算Bi2Te3薄膜的时候1-5层时候,在OPT的时候并未加入vdw_kernel.bindat得到200步都不收敛,我组陈博士建议考虑结构问题;但是我没有变化该结构继续进行SCF时,在进行SCF时候加入单独含vdw计算得出的vdw_kenerl.bindat,可以很快的完成该工作;若不加该bindat则无法进行,会出错;之后再进行能带计算,给出4个能带结果。我的问题就是:(1)由于在编译vasp的时候,我们去掉了-DXACGH和-VDVVEF(第一性原理网站上有)这两项后进行make编译VASP,所以并不能进行非共线运算,而且不能同时vdw+soc,这样不会产生以上那个bindat项目,有帖说明是由于打开了SOC后会自动不计算vdw,所以我们才把单独的vdw计算的bindat加入到计算vdw+soc时候不知道可否?(2)非共线计算的价值在什么地方?我算的考虑vdw+soc都会出现报错:非共线运算不能够实现,但是还是可以计算DOS和能带,这里会存在什么问题吗?

拓扑绝缘体之Bi2T3(SOC+Vdw)
3QL.png


拓扑绝缘体之Bi2T3(SOC+Vdw)-1
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拓扑绝缘体之Bi2T3(SOC+Vdw)-2
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有何不可琼

银虫 (著名写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
我算过这个。我用的集群,都编译好了,所以,没有自己去编译。以前的计算结果,有人没有加vdw,有人加了,用vdw的方法也不尽相同,有人用optPBE,有人用P86等。我记得有人在文章中测试过,范德瓦尔斯作用对Bi2X3类材料,主要是影响其结构,对其电子性质的影响很小。所以,一般结构优化的时候,加vdw,算静态能带这些一般不加vdw,但要考虑soc。

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优秀的研究员是自己学出来的
18楼2016-12-02 20:57:40
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普通回帖

wu258332127(金币+1): 谢谢参与
2楼2016-06-13 10:58:17
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a
3楼2016-06-13 11:23:42
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4楼2016-06-13 11:24:47
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wu258332127(金币+1): 谢谢参与
5楼2016-06-13 11:25:24
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wu258332127(金币+1): 谢谢参与
6楼2016-06-13 11:25:35
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wu258332127(金币+1): 谢谢参与
祝福祝福祝福祝福  祝福祝福祝福祝福
7楼2016-06-13 11:31:56
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wu258332127(金币+1): 谢谢参与
8楼2016-06-13 11:36:03
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wu258332127(金币+1): 谢谢参与
9楼2016-06-13 11:41:18
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10楼2016-06-13 12:02:52
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