| 查看: 1174 | 回复: 7 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[求助]
有关CVD制备石墨烯问题，新手求助
|
|||
|
最近打算开始石墨烯制备工作，主要围绕CVD方法，读了相关文献，有几个问题不明白，恳请帮助，知识有限请拍砖 1.很多文章讲到大尺寸，这个 crystalline size是晶畴尺寸吗？是指单个单层石墨烯的尺寸？（一个六边形尺寸？）sample size是什么呢？在基底上生长的大面积样品尺寸？ 2. Cu基底和CuNi基底在上述两个尺寸方面有什么优势？CuNi基底上可以得到大的crystalline size，那sample size呢？能大面积生长吗？ 3. Cu基底处理很复杂，溅射或 电镀Cu薄膜不会更好一点吗? 请大牛指点一二。。。。 非常感谢！ |
回复此楼
叫我小川兄吧
木虫 (正式写手)
- 应助: 8 (幼儿园)
- 金币: 2332.9
- 散金: 1791
- 红花: 17
- 帖子: 792
- 在线: 199.6小时
- 虫号: 3226397
- 注册: 2014-05-22
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
|
3.铜基处理，后期需要湿法转移，有一个刻蚀的过程，对铜箔要求很高，一般都是5N，溅射或者电镀，一方面基底上都是铜颗粒，而石墨烯是很薄的，不利于生长石墨烯，另外在后期刻蚀方面还要考虑自身基底，给具体工作带来了更大问题。 发自小木虫Android客户端 |
8楼2016-05-16 00:43:10
2楼2016-05-11 09:56:24
 |
3楼2016-05-11 11:17:24
4楼2016-05-11 18:00:47
