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有关CVD制备石墨烯问题，新手求助
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最近打算开始石墨烯制备工作，主要围绕CVD方法，读了相关文献，有几个问题不明白，恳请帮助，知识有限请拍砖 1.很多文章讲到大尺寸，这个 crystalline size是晶畴尺寸吗？是指单个单层石墨烯的尺寸？（一个六边形尺寸？）sample size是什么呢？在基底上生长的大面积样品尺寸？ 2. Cu基底和CuNi基底在上述两个尺寸方面有什么优势？CuNi基底上可以得到大的crystalline size，那sample size呢？能大面积生长吗？ 3. Cu基底处理很复杂，溅射或 电镀Cu薄膜不会更好一点吗? 请大牛指点一二。。。。 非常感谢！ |
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2楼2016-05-11 09:56:24
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3楼2016-05-11 11:17:24
4楼2016-05-11 18:00:47
5楼2016-05-13 19:20:43
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1.文章中说到的大尺寸一般是只长出来后转移好的石墨烯尺寸，单层石墨烯性能最优，那几个单词不知道文中具体前后文。对于这方面，建议可以先看看那几篇经典高引用的关于石墨烯的种子文章。 发自小木虫Android客户端 |
6楼2016-05-16 00:37:54
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2.CVD法主要就是铜基底和镍基底长石墨烯，也有人用的二者合金，铜基生长连续性达到89%左右吧，具体记不清了，镍基稍微低一点点，这二者也有各自的经典文献，楼主可以找找阅读。 发自小木虫Android客户端 |
7楼2016-05-16 00:40:22
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3.铜基处理，后期需要湿法转移，有一个刻蚀的过程，对铜箔要求很高，一般都是5N，溅射或者电镀，一方面基底上都是铜颗粒，而石墨烯是很薄的，不利于生长石墨烯，另外在后期刻蚀方面还要考虑自身基底，给具体工作带来了更大问题。 发自小木虫Android客户端 |
8楼2016-05-16 00:43:10
