| 查看: 1160 | 回复: 7 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[求助]
有关CVD制备石墨烯问题,新手求助
|
|||
|
最近打算开始石墨烯制备工作,主要围绕CVD方法,读了相关文献,有几个问题不明白,恳请帮助,知识有限请拍砖 1.很多文章讲到大尺寸,这个 crystalline size是晶畴尺寸吗?是指单个单层石墨烯的尺寸?(一个六边形尺寸?)sample size是什么呢?在基底上生长的大面积样品尺寸? 2. Cu基底和CuNi基底在上述两个尺寸方面有什么优势?CuNi基底上可以得到大的crystalline size,那sample size呢?能大面积生长吗? 3. Cu基底处理很复杂,溅射或 电镀Cu薄膜不会更好一点吗? 请大牛指点一二。。。。 非常感谢! |
叫我小川兄吧
木虫 (正式写手)
- 应助: 8 (幼儿园)
- 金币: 2332.9
- 散金: 1791
- 红花: 17
- 帖子: 792
- 在线: 199.6小时
- 虫号: 3226397
- 注册: 2014-05-22
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
|
2.CVD法主要就是铜基底和镍基底长石墨烯,也有人用的二者合金,铜基生长连续性达到89%左右吧,具体记不清了,镍基稍微低一点点,这二者也有各自的经典文献,楼主可以找找阅读。 发自小木虫Android客户端 |

7楼2016-05-16 00:40:22
2楼2016-05-11 09:56:24
![]() ![]() |
3楼2016-05-11 11:17:24
4楼2016-05-11 18:00:47









回复此楼

20