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faintchang金虫 (正式写手)
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HF去除3C-SiC表面SiO2 已有1人参与
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| 3C-SiC衬底表面存在2nm左右的自然氧化层SiO2，参考清洗Si片的方法——使用10%的HF浸泡3C-SiC（时间从2min到24h不等），最终测试发现SiC衬底表面的氧化层完全没有反应，厚度跟处理之前一样的。请问一下是HF的浓度需要调整吗？还是清洗过程中需要加热？超声？之类的操作？ |
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