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faintchang

金虫 (正式写手)

[求助] HF去除3C-SiC表面SiO2已有1人参与

3C-SiC衬底表面存在2nm左右的自然氧化层SiO2,参考清洗Si片的方法——使用10%的HF浸泡3C-SiC(时间从2min到24h不等),最终测试发现SiC衬底表面的氧化层完全没有反应,厚度跟处理之前一样的。请问一下是HF的浓度需要调整吗?还是清洗过程中需要加热?超声?之类的操作?
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wjx513513

铜虫 (小有名气)

用H等离子体轰击,另外,2nm你怎么测试出来的

发自小木虫Android客户端
3楼2016-04-20 11:03:34
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tsung

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
faintchang: 金币+5, 有帮助 2016-04-21 08:37:14
buffered oxide etch solution
ilovescience
2楼2016-04-20 10:13:14
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faintchang

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by tsung at 2016-04-20 10:13:14
buffered oxide etch solution

查看了一下相关文献,加温和NH4F的存在只是改变刻蚀速率,光是HF就可以快速的去除SiO2了,我这里怎么还是没效果呢,谢谢
4楼2016-04-21 08:37:09
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faintchang

金虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by wjx513513 at 2016-04-20 11:03:34
用H等离子体轰击,另外,2nm你怎么测试出来的

用Ar离子轰击试过,表面会有破坏,想尝试用湿法刻蚀,用TEM测的
5楼2016-04-21 08:38:28
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