| 查看: 2265 | 回复: 5 | |||
[交流]
金属半导体的禁带宽度
|
| 文献上查到的三氧化物的禁带宽度是2.7ev 但是我自己合成了三氧化物 通过做固体紫外测得禁带宽带是3.2ev 请问这个值是个定值，还是说不同条件下合成的不同物质会有不同呢？还是纯的三氧化物，没进行掺杂。各位光催的大神一起来解救我啊 |
回复此楼» 猜你喜欢
关于化工用渣浆泵资料的下载
已经有0人回复
-
求助：账号注册问题，刚开始找工作，账号能同时两个单位注册吗？
已经有4人回复
-
有机高分子材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有279人回复
-
深圳大学博士招生（2026秋，传感器方向）
已经有7人回复
-
天津大学福州校区联合闽都创新实验室课题组招收2026年纳米半导体材料及器件博士生
已经有0人回复
-
江西理工大学 稀土学院 稀土功能材料方向 招收2026届博士研究生、硕士研究生
已经有24人回复
-
电子科技大学，电子科学与工程学院，杨青慧教授，2026年博士研究生招生
已经有21人回复
-
木质素颗粒SEM制样
已经有0人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 请教 "量子尺寸效应"与"量子限域效应"的关系
已经有1人回复
- 2015年中科院半导体所半导体物理、固体物理真题回忆
已经有3人回复
- 消除催化零回复，感谢虫友来交流(三）
已经有13人回复
- 让你快速了解电子材料
已经有4人回复
- 氮掺杂TiO2薄膜应用于光催化领域研究取得进展（转载）
已经有2人回复
- 有没有一本书专门列举了各种材料的禁带宽度、电导率磁导率等等参数呢
已经有4人回复
- 掺杂体系能带分析
已经有2人回复
- 求助ISMEAR
已经有7人回复
- 香港中文大学余济美教授报告心得，欢迎大家交流~
已经有45人回复
- 看看别人仅用VASP做DOS计算发好文章（两篇PRL）
已经有30人回复
- 大部分金属氧化物及硫化物的能带位置（v，NHE）及出处
已经有371人回复
- 如何测金属氧化物半导体粉末的禁带宽度和电导率？？
已经有5人回复
- 4月1日——7月14日资源帖汇总
已经有17人回复
- 帮翻译一段摘要
已经有3人回复
- 【求助】castep计算半导体掺杂后费米能级进入导带
已经有10人回复
948480045
至尊木虫 (职业作家)
遇見あなた
- 应助: 67 (初中生)
- 金币: 19949.6
- 散金: 109
- 红花: 51
- 沙发: 15
- 帖子: 4966
- 在线: 694.7小时
- 虫号: 1236516
- 注册: 2011-03-17
- 性别: GG
- 专业: 无机化学
2楼2016-04-14 22:50:33
chennn
木虫 (小有名气)
- 应助: 5 (幼儿园)
- 金币: 3183.6
- 散金: 99
- 红花: 6
- 帖子: 137
- 在线: 108.9小时
- 虫号: 3084699
- 注册: 2014-03-24
- 性别: GG
- 专业: 半导体物理
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
|
文献指的肯定是纯度，杂质存在只会在禁带引入杂质能级，相同物质在不同条件下合成他的晶体结构肯定不同，如果是结晶好的话禁带宽度应该差不多的 发自小木虫Android客户端 |
3楼2016-04-14 22:55:41
4楼2016-04-14 23:00:51
5楼2016-04-14 23:02:26
练习走路
铁杆木虫 (正式写手)
- 应助: 27 (小学生)
- 金币: 5440.6
- 红花: 6
- 帖子: 671
- 在线: 359.7小时
- 虫号: 1403810
- 注册: 2011-09-16
- 专业: 无机非金属材料
6楼2016-04-29 08:15:10