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金属半导体的禁带宽度
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| 文献上查到的三氧化物的禁带宽度是2.7ev 但是我自己合成了三氧化物 通过做固体紫外测得禁带宽带是3.2ev 请问这个值是个定值，还是说不同条件下合成的不同物质会有不同呢？还是纯的三氧化物，没进行掺杂。各位光催的大神一起来解救我啊 |
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4楼2016-04-14 23:00:51
948480045
至尊木虫 (职业作家)
遇見あなた
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2楼2016-04-14 22:50:33
chennn
木虫 (小有名气)
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- 专业: 半导体物理
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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文献指的肯定是纯度，杂质存在只会在禁带引入杂质能级，相同物质在不同条件下合成他的晶体结构肯定不同，如果是结晶好的话禁带宽度应该差不多的 发自小木虫Android客户端 |
3楼2016-04-14 22:55:41
5楼2016-04-14 23:02:26
