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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料化学 » 金属半导体的禁带宽度
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五月神的存在

金虫 (小有名气)

[交流] 金属半导体的禁带宽度

文献上查到的三氧化物的禁带宽度是2.7ev   但是我自己合成了三氧化物  通过做固体紫外测得禁带宽带是3.2ev  请问这个值是个定值，还是说不同条件下合成的不同物质会有不同呢？还是纯的三氧化物，没进行掺杂。各位光催的大神一起来解救我啊
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1楼 2016-04-14 22:34:13
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chennn

木虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
文献指的肯定是纯度，杂质存在只会在禁带引入杂质能级，相同物质在不同条件下合成他的晶体结构肯定不同，如果是结晶好的话禁带宽度应该差不多的

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3楼2016-04-14 22:55:41
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948480045

至尊木虫 (职业作家)

遇見あなた
WO3才2.7ev.

发自小木虫Android客户端
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认真是一种态度
2楼2016-04-14 22:50:33
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五月神的存在

金虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by chennn at 2016-04-14 22:55:41
文献指的肯定是纯度，杂质存在只会在禁带引入杂质能级，相同物质在不同条件下合成他的晶体结构肯定不同，如果是结晶好的话禁带宽度应该差不多的

晶体结构是有差别  但是禁带宽度根据固体紫外做出的切线实在是差太多了
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4楼2016-04-14 23:00:51
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五月神的存在

金虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by chennn at 2016-04-14 22:55:41
文献指的肯定是纯度，杂质存在只会在禁带引入杂质能级，相同物质在不同条件下合成他的晶体结构肯定不同，如果是结晶好的话禁带宽度应该差不多的

晶体结构是有差别  但是禁带宽度根据固体紫外做出的切线实在是差太多了
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5楼2016-04-14 23:02:26
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