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【请教】请教一个问题
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GaAs晶体，Ga为Ⅲ族原子，As为Ⅴ族原子。由实验发现在氧化性腐蚀液中Ga的(111)面比As的(111)面的腐蚀速度慢，为什么呢？而按照得失电子来说，Ga要较As易失电子，应该反应速度快的啊！！ 此话题据说目前还只是实验现象，尚无理论支持，所以各位尽管坦率直言。无须顾忌对还是错，一起来探讨这个问题。    [ Last edited by 张甜 on 2008-10-21 at 10:01 ] |
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