| 查看: 105 | 回复: 1 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[交流]
【请教】请教一个问题
|
|||
|
GaAs晶体，Ga为Ⅲ族原子，As为Ⅴ族原子。由实验发现在氧化性腐蚀液中Ga的(111)面比As的(111)面的腐蚀速度慢，为什么呢？而按照得失电子来说，Ga要较As易失电子，应该反应速度快的啊！！ 此话题据说目前还只是实验现象，尚无理论支持，所以各位尽管坦率直言。无须顾忌对还是错，一起来探讨这个问题。    [ Last edited by 张甜 on 2008-10-21 at 10:01 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有6人回复
-
面上没中，邀请各位路过的虫友分析一下分数
已经有7人回复
-
哈尔滨工业大学韩晓军教授课题组招收2027年硕士推免生及博士研究生
已经有3人回复
-
找导师
已经有8人回复
-
国社科又开始会评了，不知道这次命运如何
已经有14人回复
-
麻烦专家们看看评委们的意见（F口面上）
已经有13人回复
-
科研人应该花精力去思考如何解决问题，而不是去凝练问题
已经有14人回复
-
要骂人了，新模版改版就是要淡化问题凝练这种虚的东西，结果有个评委还在说凝练得不够
已经有17人回复
-
学科评审组评审是指会评吗？
已经有5人回复
-
小白求助 投论文要求的highlights应该如何写
已经有4人回复
2楼2008-10-21 09:36:18