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【请教】请教一个问题
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GaAs晶体,Ga为Ⅲ族原子,As为Ⅴ族原子。由实验发现在氧化性腐蚀液中Ga的(111)面比As的(111)面的腐蚀速度慢,为什么呢?而按照得失电子来说,Ga要较As易失电子,应该反应速度快的啊!! 此话题据说目前还只是实验现象,尚无理论支持,所以各位尽管坦率直言。无须顾忌对还是错,一起来探讨这个问题。 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() [ Last edited by 张甜 on 2008-10-21 at 10:01 ] |
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