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yangyueyf

银虫 (正式写手)

[求助] 磁控溅射时加负偏压对薄膜结晶度的影响 已有2人参与

本菇凉使用CZTS靶材磁控溅射CZTS时,发现溅射后的CZTS薄膜结晶度很差,晶粒度特别小,老板让我下次溅射的时候加上一定的负偏压试试,不知道这个负偏压对溅射过程有哪些影响,能不能提高溅射薄膜的结晶度,多谢各位大侠啦~
大恩不言谢,小女子直接

磁控溅射时加负偏压对薄膜结晶度的影响
薄膜表面形貌.jpg
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PVD ALD CVD
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太阳追逐者

新虫 (初入文坛)

你对结晶度的定义是什么?这个难道不是用XRD判断的吗?是指晶粒的大小吗?
负偏压主要是导致基体温度升高,是温度升高导致的晶粒大小改变。
溅射本来就重复性差,你单靶靶材的XRD,SEM图像有没有.
想改善晶粒大小我觉得还是需要RTP固态源硫化,或者H2S硫化。
51楼2016-07-02 15:21:43
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chenjin

铁杆木虫 (著名写手)

2楼2016-03-25 21:44:27
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yangyueyf

银虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by chenjin at 2016-03-25 21:44:27
基底加热会不会好一些。

基底加热对成分影响比较大,首先考虑负偏压

发自小木虫Android客户端
PVD ALD CVD
3楼2016-03-25 22:50:47
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yangyueyf

银虫 (正式写手)

各位大侠有没有知道的啊
PVD ALD CVD
4楼2016-03-26 09:34:49
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