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[求助]
AAO 模板法电沉积
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本人在用AAO模板法沉积Au/CdSe金属半导体多段纳米线中， 实验中采用双槽法，即Au和CdSe溶液分别置于两个烧杯中，交替更换溶液进行沉积。 沉积CdSe纳米线的条件：电解液的浓度为0.3mol/L CdSO4，3mmol/L SeO2以及0.25 mol/L H2SO4， 沉积电位-0.7V，CdSe纳米线的长度可有沉积的时间控制。 沉积Au纳米线的沉积条件：电解液的浓度为100mM/L的HAuCl4和30g/L的H3BO3，沉积电位0.2V， 磁力搅拌的转速为1200转每分钟，沉积长度可按我们的需求控制沉积时间。 在单独沉积Au和CdSe时，能得到较好的纳米线，但是当他们进行交替复合是， 得到的多段纳米线与实验设定相差较大，有点甚至得不到多段的形貌，求原因！！  bw134h3516836_1457418249_196.jpg |
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