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EUV
光源開発の最前線および技術課題の解決...
溝口計
EUV
光源開発の最前線および技術課題の解決に向けて電気学会誌2026年146巻8号p.486-489...
myselfe123
2026-08-05 10:50
博后之家
【上海大学】涂敏团队诚聘副教授及博士后
EBL、
EUV
、扫描探针光刻或其他微纳加工技术;金属有机光刻材料、分子光刻胶或无胶图形化;化学、生物或气体传感器设计与制备;微纳器件、集成电路材料及器件测试;材料计算、机器学习或...
Moon_Down
2026-07-30 01:19
硕博家园
【上海大学】涂敏团队诚聘副教授及博士后
EBL、
EUV
、扫描探针光刻或其他微纳加工技术;金属有机光刻材料、分子光刻胶或无胶图形化;化学、生物或气体传感器设计与制备;微纳器件、集成电路材料及器件测试;材料计算、机器学习或...
Moon_Down
2026-07-30 10:54
微米和纳米
主题:跳出
EUV
路径惯性——7nm光刻全链路体系重构思路交流
各位虫友、行业同仁:当前先进光刻被单一技术路线深度绑定,国内攻关长期陷入「整机优先、配套补位」的路径依赖,精密量测、动态校准短板持续制约良率提升与制程突破,专利壁垒与供应链风险...
韩武半导体科技
2026-06-25 02:48
绿色求助(高悬赏)
Optimization of
EUV
mask multilayers for high-NA and hyper-...
EUV
-mask-multilayers-for-high-NA-and-hyper/10.1117/12.3072115.fullSPIE国际光学工程学会数字图书馆
wang5945
2026-06-22 11:19
导师招生
上海交通大学机械与动力工程学院-先进光刻方向招收2027年入学推...
3、DUV/
EUV
光刻技术。二、基本要求1.计算机、微电子、光学、材料、物理、数学等相关专业的本科学历;2.具有算法开发、仿真建模、纳米结构表征等相关研究背景和经历者优先;3.锐意进取,热爱...
Pattern2006
2026-06-22 06:38
导师招生
上海交通大学机动学院-先进光刻方向招收 2027 推免硕士(含...
3、DUV/
EUV
光刻技术。二、基本要求1.计算机、微电子、光学、材料、物理、数学等相关专业的本科学历;2.具有算法开发、仿真建模、纳米结构表征等相关研究背景和经历者优先;3.锐意进取,热爱...
Pattern2006
2026-06-09 12:36
文献求助
tone and positive-tone development of novel
EUV
RobertRigorouscalibrationofnegative-toneandpositive-tonedevelopmentofnovelEUVchemicallyamplifiedresistforperformancecharacterizationspie2025...
402095612
2026-06-07 12:16
会议与征稿布告栏
2026年电子化学品、光刻胶与湿电子化学品国际学术会议(ECPWE ...
征稿主题电子化学品:高纯电子气体电子级溶剂电子级酸电子级碱电子级特种气体纯度控制技术光刻胶:g线/i线光刻胶KrF光刻胶ArF光刻胶
EUV
光刻胶树脂设计光致产酸剂线边缘粗糙度控制分辨率提升...
Xyz1101
2026-06-05 02:24
精细化工
四甲基氢氧化铵(TMAH):半导体制造核心工艺溶液的技术与应用...
在极紫外(
EUV
)光刻等先进制程中,对显影液的纯净度和性能稳定性提出了更高要求,促使TMAH配方不断优化升级。TMAH作为显影液的核心优势在于其不含钠、钾等金属离子,可有效避免金属污染...
前衍化学网
2026-05-22 07:14
精细化工
1-乙基环戊基甲基丙烯酸酯:光刻胶单体在电子化学品领域的关键...
三是功能化改性,通过分子结构设计调控单体性能,开发适用于新型光刻技术(如
EUV
)的特种单体[2]。质量指标与安全注意事项电子级ECPMA产品的关键质量指标包括纯度、金属杂质含量、颗粒数等...
前衍化学网
2026-05-21 09:06
考博
上海理工大学先进光场与测量实验室博士招聘启事,一周内有效!
2、极紫外(
EUV
)与强场物理方向极紫外与强场物理是超快科学与原子分子物理交叉领域的核心前沿方向,在阿秒尺度动力学与极端光场相互作用研究中具有关键地位。本方向围绕强场驱动下的非微扰...
耿凯莉
2026-05-15 11:54
我要投诉申诉
申请账号解封
how29[材料综合]光刻机投影物镜装配应力的递归实时补偿控制2026-04-1602026-04-1619:40:16bylion_how30[材料综合]
EUV
掩模热变形实时监测与CTE参数反演:基于递归耦合模型与数据同化的统一...
rlafite
2026-04-30 02:57
考博
上海交通大学光刻研究团队 诚聘英才(含硕士/博士研究生、博士后...
4、DUV/
EUV
光刻技术。二、招聘条件1.研究生:本科/硕士在读或应届毕业,相关专业背景;2.博士后:35周岁以下,已获/即将获博士学位;3.科研助理:本科及以上,踏实负责、动手能力强;4.专业...
Pattern2006
2026-04-26 04:36
电化学
2026第五届高端电子化学品先进技术与新材料发展研讨会
与特定光刻波长(如KrF、ArF、
EUV
)的匹配技术。配套材料:光刻胶配套试剂(显影液、漂洗液、去除液等)的超高纯化与稳定供应技术。?电子特气关键技术:合成与纯化技术(如低温精馏、吸附...
zghg2012
2026-04-23 02:19
物理
关于对“民科”学术歧视的声明
我的参赛论文是关于
euv
光刻机等精密设备误差控制的。我本人独立学者,从没见过光刻机,它离我绝对十万八千里。然而我就凭着我的大脑和一台笔记本电脑,以及ai的协助,完成了这个课题,拿到...
lion_how
2026-04-23 12:38
考博
2026年上海交通大学机械与动力工程学院光刻团队博士生、博士后...
4、DUV/
EUV
光刻技术;5、新型纳米电子器件设计制造。联系方式:邮件标题格式:简历+个人姓名+目前学校+2026进校时间(CV-张xx-xx学校-2026xx月入校)邮箱:'bairuobingsjtu.edu.cn'
白小冰No1
2026-04-22 04:02
文献求助
Advances toward high power
EUV
sources for EUVL scanners for...
DavidC.Brandt,MichaelPurvis,IgorFomenkov,DanielBrown,...ExtremeUltraviolet(
EUV
)LithographyXII2021116091Ehttps:/doi.org/10.1117/12.2584413https://doi.org/10.1117/12.2584413
flighter1978
2026-04-20 03:14
物理
《解析材料学指南》(第二版)
\item\textbf{分支二}:半导体薄膜与光刻工艺——涵盖硅器件薄膜、3dnand多层膜、
euv
多层膜应力与热变形、锡污染模型、刻痕噪声、光刻机整机误差控制、跨主体误差接口标准等。\item\textbf{...
lion_how
2026-04-18 10:36
数理科学综合
解析材料学指南(第二版)
\item\textbf{分支二}:半导体薄膜与光刻工艺——涵盖硅器件薄膜、3dnand多层膜、
euv
多层膜应力与热变形、锡污染模型、刻痕噪声、光刻机整机误差控制、跨主体误差接口标准等。\item\textbf{...
lion_how
2026-04-18 10:06
金属
解析材料学指南(第二版)
\item\textbf{分支二}:半导体薄膜与光刻工艺——涵盖硅器件薄膜、3dnand多层膜、
euv
多层膜应力与热变形、锡污染模型、刻痕噪声、光刻机整机误差控制、跨主体误差接口标准等。\item\textbf{...
lion_how
2026-04-18 09:21
材料综合
解析材料学指南(第二版)
\item\textbf{分支二}:半导体薄膜与光刻工艺——涵盖硅器件薄膜、3dnand多层膜、
euv
多层膜应力与热变形、锡污染模型、刻痕噪声、光刻机整机误差控制、跨主体误差接口标准等。\item\textbf{...
lion_how
2026-04-18 09:48
材料综合
光刻机整机多源动态误差的实时融合与协同补偿控制
技术报告,2026.\bibitem{mask2026}作者前期工作.
EUV
掩模热变形实时监测与CTE参数反演:基于递归耦合模型与数据同化的统一框架.技术报告,2026.\bibitem{mrkf}SmythA,WuM.Multi-...
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2026-04-17 07:31
材料综合
EUV
掩模热变形实时监测与CTE参数反演:基于递归耦合模型与数据...
需注意,在
EUV
长期辐照下,Mo/Si界面可能发生扩散或锡污染,导致界面热阻$R_{th}$漂移,这会影响热传导并可能被误归因于CTE变化,后续将讨论应对策略。\subsection{热源分布}
EUV
光在掩模中...
lion_how
2026-04-17 07:05
材料综合
解析材料学指南
本帖是对近期理论工作的升级,...61}&\href{'https://muchong.com/t-16730804-1'}{
EUV
掩模热变形实时监测与CTE参数反演:基于递归耦合模型与数据同化的统一框架}&掩模热变形监测\\30&\href{'...
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