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luoyiqiang12

金虫 (小有名气)

砼子

[交流] 碳化硅陶瓷 已有2人参与

碳化硅陶瓷是怎么烧制的

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幼不学,老何为
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luoyiqiang12

金虫 (小有名气)

砼子

引用回帖:
3楼: Originally posted by 小白雪 at 2016-02-12 22:28:13
你这是自己生产还是生产啊。

我就想了解了解,一般的生产工艺

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幼不学,老何为
4楼2016-02-13 14:30:28
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calven

木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
高温高压加结合剂

[ 发自小木虫客户端 ]
最大的瓶颈,就是没有瓶颈
2楼2016-02-03 16:25:59
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小白雪

木虫 (正式写手)

名字好幼稚的。。。


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
你这是自己生产还是生产啊。
单身贵族。
3楼2016-02-12 22:28:13
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yatch

新虫 (初入文坛)

★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
luoyiqiang12(穿越千年代发): 金币+5, 感谢精彩的回答,对于FPI还需要讨论之后才能决定,请等候消息 2016-02-14 16:37:38
碳化硅陶瓷的制备方法主要有常压烧结、热压烧结、反应烧结、高温等静压烧结。用化学气相沉积(CVD)法可制备碳化硅陶瓷薄膜。提高碳化硅陶瓷的烧结致密度,可加入一定量的 B、C、B4C、Al2O3、AlN、BeO和Al 等作为烧结助剂。碳化硅是共价键很强的化合物,在常压下很难使其完全致密化,只能得到接近理论密度95%的碳化硅陶瓷。热压烧结和高温等静压烧结可制备高致密碳化硅陶瓷,烧结温度在1950~2100℃,制品性能好,难以制造形状复杂的制品,且成本高。反应烧结由α-SiC和石墨粉末按一定比例混合压成坯体,加热使之与熔融的液态Si或气相Si反应,生成 β-SiC。烧结温度较低 (1400~1600℃),可制造形状复杂的制品,缺点是坯体中残留8%~20%的游离硅,限制其高温力学性能及在强酸强碱中的应用。SiC陶瓷不仅具有室温强度高、耐腐蚀、耐磨和低摩擦系数,而且具有较高的高温强度和抗蠕变性能,使用温度可达1600℃,是目前已知的陶瓷材料中高温抗氧化、强度最好的材料。缺点是脆性大,断裂韧性较低。采用纤维、晶须和颗粒可增韧补强SiC陶瓷,明显提高SiC陶瓷的韧性和强度。

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

5楼2016-02-13 15:26:42
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