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碳化硅陶瓷是怎么烧制的 发自小木虫Android客户端 |
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2楼2016-02-03 16:25:59
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3楼2016-02-12 22:28:13
luoyiqiang12
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4楼2016-02-13 14:30:28
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
luoyiqiang12(穿越千年代发): 金币+5, 感谢精彩的回答，对于FPI还需要讨论之后才能决定，请等候消息 2016-02-14 16:37:38
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
luoyiqiang12(穿越千年代发): 金币+5, 感谢精彩的回答，对于FPI还需要讨论之后才能决定，请等候消息 2016-02-14 16:37:38
| 碳化硅陶瓷的制备方法主要有常压烧结、热压烧结、反应烧结、高温等静压烧结。用化学气相沉积(CVD)法可制备碳化硅陶瓷薄膜。提高碳化硅陶瓷的烧结致密度，可加入一定量的 B、C、B4C、Al2O3、AlN、BeO和Al 等作为烧结助剂。碳化硅是共价键很强的化合物，在常压下很难使其完全致密化，只能得到接近理论密度95%的碳化硅陶瓷。热压烧结和高温等静压烧结可制备高致密碳化硅陶瓷，烧结温度在1950～2100℃，制品性能好，难以制造形状复杂的制品，且成本高。反应烧结由α-SiC和石墨粉末按一定比例混合压成坯体，加热使之与熔融的液态Si或气相Si反应，生成 β-SiC。烧结温度较低 (1400～1600℃)，可制造形状复杂的制品，缺点是坯体中残留8%～20%的游离硅，限制其高温力学性能及在强酸强碱中的应用。SiC陶瓷不仅具有室温强度高、耐腐蚀、耐磨和低摩擦系数，而且具有较高的高温强度和抗蠕变性能，使用温度可达1600℃，是目前已知的陶瓷材料中高温抗氧化、强度最好的材料。缺点是脆性大，断裂韧性较低。采用纤维、晶须和颗粒可增韧补强SiC陶瓷，明显提高SiC陶瓷的韧性和强度。 |
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luoyiqiang125楼2016-02-13 15:26:42
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