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tcheng92金虫 (小有名气)
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[求助]
用VASP计算含有O缺陷的Ga2O3结构优化的问题
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本人想计算一下含有O缺陷的 b-Ga2O3的DOS和bands相关的信息，但是在结构优化过程中出现了一些问题 我是用MS建的b-Ga2O3的模型，对最短的b方向超胞成2倍，然后在其中去掉一个氧原子，导出变成POSCAR；然后利用vasp对其进行结构优化，在优化的过程中我用的是GGA并且不优化晶格参数，只优化其中的离子位置；但是优化以后的结构与输入的结构差距非常大，以至于后面的计算中DOS和bands都成了连续的，与实际不符，以下贴出我的结构和输入文件，希望有大神帮忙解释一下 ps：计算过程中我加了自旋，不知道会不会有影响  |
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