| 查看: 892 | 回复: 0 | ||
tcheng92金虫 (小有名气)
|
[求助]
用VASP计算含有O缺陷的Ga2O3结构优化的问题
|
|
本人想计算一下含有O缺陷的 b-Ga2O3的DOS和bands相关的信息，但是在结构优化过程中出现了一些问题 我是用MS建的b-Ga2O3的模型，对最短的b方向超胞成2倍，然后在其中去掉一个氧原子，导出变成POSCAR；然后利用vasp对其进行结构优化，在优化的过程中我用的是GGA并且不优化晶格参数，只优化其中的离子位置；但是优化以后的结构与输入的结构差距非常大，以至于后面的计算中DOS和bands都成了连续的，与实际不符，以下贴出我的结构和输入文件，希望有大神帮忙解释一下 ps：计算过程中我加了自旋，不知道会不会有影响  |
回复此楼» 猜你喜欢
现代”学阀”该如何界定
已经有11人回复
-
各位大神，目前国内有哪些比较好用的逆合成软件？
已经有15人回复
-
国社科系统bug了，是不是要放榜了？
已经有10人回复
-
课题组招2027级博士 上海工程技术大学 激光智能制造方向
已经有4人回复
-
上海工程技术大学 激光智能制造课题组 2027级博士研究生招生
已经有3人回复
-
上海工程技术大学激光智能制造课题组｜2027级博士研究生招生公告
已经有11人回复
-
申博发邮件
已经有11人回复
-
我的奶奶
已经有3人回复