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JK_Happy

新虫 (初入文坛)

[求助] 半导体器件能带结构的泊松方程自恰求解怎么做呀

半导体器件能带结构的泊松方程自恰求解怎么做呀 @laosam280

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nagami

木虫 (正式写手)

是固体Kohn-Sham方程,耦合势函数用Possion方程描述的方程组吧。
最近偶也在搞这个的数值问题
女靠衣装;男靠金装
2楼2016-01-11 23:44:43
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JK_Happy

新虫 (初入文坛)

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2楼: Originally posted by nagami at 2016-01-11 23:44:43
是固体Kohn-Sham方程,耦合势函数用Possion方程描述的方程组吧。
最近偶也在搞这个的数值问题

我看的资料都没有说这是K-S方程,就说这是泊松方程和费米狄拉克方程自恰求解,说是叫Thomas-fermi计算 @laosam280

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3楼2016-01-12 08:29:24
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JK_Happy

新虫 (初入文坛)

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2楼: Originally posted by nagami at 2016-01-11 23:44:43
是固体Kohn-Sham方程,耦合势函数用Possion方程描述的方程组吧。
最近偶也在搞这个的数值问题

不是单独的固体材料,而是半导体器件的能带图 @laosam280

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4楼2016-01-12 08:30:30
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nagami

木虫 (正式写手)

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4楼: Originally posted by JK_Happy at 2016-01-12 08:30:30
不是单独的固体材料,而是半导体器件的能带图 laosam280
...

Thomas-Fermi模型是OF-DFT的特例,与KS-DFT类似,
是半导体的能带计算吧,半导体器件模型是求解载流子分布的,与能带计算无关。半导体材料才分析这个。
难度很大,要结合FFT、赝势等许多技术才能求解,金属、半导体及绝缘体处理起来还有区别
女靠衣装;男靠金装
5楼2016-01-13 17:26:36
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JK_Happy

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
5楼: Originally posted by nagami at 2016-01-13 17:26:36
Thomas-Fermi模型是OF-DFT的特例,与KS-DFT类似,
是半导体的能带计算吧,半导体器件模型是求解载流子分布的,与能带计算无关。半导体材料才分析这个。
难度很大,要结合FFT、赝势等许多技术才能求解,金属、半导 ...

载流子浓度和电势是相互耦合的呀,算载流子分布可以先算电势分布撒,就要用泊松方程呀 @laosam280

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6楼2016-01-13 19:15:09
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何章HZ

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6楼: Originally posted by JK_Happy at 2016-01-13 19:15:09
载流子浓度和电势是相互耦合的呀,算载流子分布可以先算电势分布撒,就要用泊松方程呀 laosam280
...

你需要能带图是 E-x图 不是能带结构E-k图吧 ?

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7楼2016-01-13 19:54:01
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JK_Happy

新虫 (初入文坛)

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7楼: Originally posted by 何章HZ at 2016-01-13 19:54:01
你需要能带图是 E-x图 不是能带结构E-k图吧 ?
...

对的 @laosam280

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8楼2016-01-14 18:52:01
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何章HZ

新虫 (初入文坛)

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8楼: Originally posted by JK_Happy at 2016-01-14 18:52:01
对的 laosam280
...

没有解析解 一般都是根据具体条件有限元差分求数值解

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9楼2016-01-14 19:48:27
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JK_Happy

新虫 (初入文坛)

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9楼: Originally posted by 何章HZ at 2016-01-14 19:48:27
没有解析解 一般都是根据具体条件有限元差分求数值解
...

恩,我用牛顿迭代法数值求解了一下,不过发现只有掺杂浓度较低的情况下才收敛,应用范围太有限了,所以才求大神呀 @laosam280

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10楼2016-01-14 19:52:19
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