| 查看: 2165 | 回复: 0 | ||
bjwang铁杆木虫 (正式写手)
|
[求助]
二维体系加电场的ISIF取2还是3？？？
|
|
尝试计算电场对二维体系电子结构等的影响，借鉴了小木虫上的一些帖子（比如：http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=8223517&fpage=1：） 主要设置下面三个参数： EFIELD = 0.05 IDIPOL = 3 #z direction LDIPOL = .TRUE. 我的计算步骤如下： （1）先不加电场进行结构优化，此时ISIF=3； （2）利用上面的结构，加上电场（在INCAR里加入上面三个参数），此时ISIF=3时，优化出错（ZBRENT: fatal error in bracketing please rerun with smaller EDIFF, or copy CONTCAR to POSCAR and continue），然而，当我把ISIF取为2时，结果很快就收敛了！ 我的问题是： （1）对于二维体系，ISIF是不是只能取2？ （注：大神valenhou001在回复关于“金属薄膜体系”加电场的一个帖子————http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=8223517&fpage=1时说”对于表面体系的超原胞的计算，不要采用ISIF=3. 正确或合理的步骤：先优化和计算好块体材料的结构参数（晶格常数，原子坐标），再切表面构造出表面体系的超原胞，对这样得到的表面体系的超原胞进行只优化原子位置（也就是ISIF=2），平行于表面的晶格常数固定，表面法向方向上的晶格常数根据真空层厚度以及原子层厚度来取。“）， 侯老师上面说的”表面体系的超原胞“和二维体系的意思类似吗？也就是说对于二维体系，ISIF也只能取2？？？ （2）如果（1）不合适，ISIF=3出错，应该是我的结构在cell改变时，结构发生不合理的变化造成的，如何解决？ （3）在计算中，采用ISIF=2与ISIF=3在考虑电场的影响上来说，差别大不？ 谢谢各位大神! |
回复此楼» 猜你喜欢
调剂
已经有3人回复
-
08工学调剂
已经有15人回复
-
招08考数学
已经有16人回复
-
340求调剂
已经有3人回复
-
材料专硕找调剂
已经有4人回复
-
0854电子信息求调剂
已经有6人回复
-
0805 316求调剂
已经有4人回复
-
0854 考研调剂 招生了！AI 方向
已经有17人回复
-
【考研调剂】化学专业 281分，一志愿四川大学，诚心求调剂
已经有15人回复
-
资源与环境 调剂申请(333分)
已经有7人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
