| 查看: 1502 | 回复: 1 | ||
[求助]
SRIM模拟计算问题 已有1人参与
|
最近在做多层结构的离子注入计算，；遇到了一些问题还望论坛中的大牛不吝赐教 以B离子注入Si3N4/SiO2（从化合物库中选择）的GI层为例，首先通过SR计算module计算出B注入GI层不同深度所需的能量。双层结构的Si3N4/SiO2可以计算， 但是，我想计算Si3N4/SiO2/poly-Si三层结构时，SR计算出现报警：Warning--Target Layer Density 说这些densities 不是非常准确。不知道这个是否影响计算离子注入的深度和能量的关系。具体如附件所示。 现在问题有三个： 1、SR模拟是否不能将化合物库中的化合物和单元素层混用，eg Si3N4/SiO2/Si？只能计算化合物库的多层结构和纯元素的单层结构，eg PMMA/Si3N4/SiO2，单Si层？ 2、SiO2使用石英来模拟TFT中的GI层是否有误差，若是不选用石英，如何选择SiO2？ 3、离子注入的剂量我们是如何来确定的？剂量 [Atom/cm3]和[Atom/cm2]是如何换算的？ 还望大家不吝赐教   捕获.PNG  捕获-1.PNG |
回复此楼» 猜你喜欢
拟解决的关键科学问题还要不要写
已经有7人回复
-
最失望的一年
已经有3人回复
-
存款400万可以在学校里躺平吗
已经有20人回复
-
国自然申请面上模板最新2026版出了吗？
已经有19人回复
-
请教限项目规定
已经有3人回复
-
基金委咋了？2026年的指南还没有出来？
已经有10人回复
-
基金申报
已经有6人回复
-
推荐一本书
已经有13人回复
-
疑惑？
已经有5人回复
-
溴的反应液脱色
已经有7人回复
yuxiaoinbuaa
至尊木虫 (职业作家)
- 应助: 42 (小学生)
- 金币: 27524.8
- 红花: 131
- 帖子: 3699
- 在线: 850.1小时
- 虫号: 1158372
- 注册: 2010-11-29
- 性别: GG
- 专业: 物理学II
【答案】应助回帖
感谢参与，应助指数 +1
|
所举的这些计算都可以。出现警告的原因是由于这是采用了叠加算法生成的靶，有一些化合物修正等等因素无法考虑，在一些计算情况下可能会引起误差的上升。材料的密度是一个非常重要的参数，对计算结果会产生非常直接的影响。SRIM在进行化合物合成的时候会根据材料合成的算法生成材料密度，但可能和实际的密度略有出入，尤其是在气体模拟中，压缩后的气体密度会明显比标准状态的气体密度大。对固体而言相差通常不会很大，可以根据自己掌握的材料密度进行修正比较一下结果。 SiO2和注入剂量怎么算，我们在SRIM里边的教程和论坛里边的帖子已经说了很多了，自己研究一下吧。 |
2楼2015-12-31 14:38:46