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SRIM模拟计算问题 已有1人参与
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最近在做多层结构的离子注入计算，；遇到了一些问题还望论坛中的大牛不吝赐教 以B离子注入Si3N4/SiO2（从化合物库中选择）的GI层为例，首先通过SR计算module计算出B注入GI层不同深度所需的能量。双层结构的Si3N4/SiO2可以计算， 但是，我想计算Si3N4/SiO2/poly-Si三层结构时，SR计算出现报警：Warning--Target Layer Density 说这些densities 不是非常准确。不知道这个是否影响计算离子注入的深度和能量的关系。具体如附件所示。 现在问题有三个： 1、SR模拟是否不能将化合物库中的化合物和单元素层混用，eg Si3N4/SiO2/Si？只能计算化合物库的多层结构和纯元素的单层结构，eg PMMA/Si3N4/SiO2，单Si层？ 2、SiO2使用石英来模拟TFT中的GI层是否有误差，若是不选用石英，如何选择SiO2？ 3、离子注入的剂量我们是如何来确定的？剂量 [Atom/cm3]和[Atom/cm2]是如何换算的？ 还望大家不吝赐教   捕获.PNG  捕获-1.PNG |
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国社科又开始会评了，不知道这次命运如何
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yuxiaoinbuaa
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【答案】应助回帖
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所举的这些计算都可以。出现警告的原因是由于这是采用了叠加算法生成的靶，有一些化合物修正等等因素无法考虑，在一些计算情况下可能会引起误差的上升。材料的密度是一个非常重要的参数，对计算结果会产生非常直接的影响。SRIM在进行化合物合成的时候会根据材料合成的算法生成材料密度，但可能和实际的密度略有出入，尤其是在气体模拟中，压缩后的气体密度会明显比标准状态的气体密度大。对固体而言相差通常不会很大，可以根据自己掌握的材料密度进行修正比较一下结果。 SiO2和注入剂量怎么算，我们在SRIM里边的教程和论坛里边的帖子已经说了很多了，自己研究一下吧。 |
2楼2015-12-31 14:38:46
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