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xifeng68

银虫 (正式写手)

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[求助] SRIM模拟计算问题已有1人参与

最近在做多层结构的离子注入计算，；遇到了一些问题还望论坛中的大牛不吝赐教

以B离子注入Si3N4/SiO2（从化合物库中选择）的GI层为例，首先通过SR计算module计算出B注入GI层不同深度所需的能量。双层结构的Si3N4/SiO2可以计算，

但是，我想计算Si3N4/SiO2/poly-Si三层结构时，SR计算出现报警：Warning--Target Layer Density 说这些densities 不是非常准确。不知道这个是否影响计算离子注入的深度和能量的关系。具体如附件所示。

现在问题有三个：

1、SR模拟是否不能将化合物库中的化合物和单元素层混用，eg Si3N4/SiO2/Si？只能计算化合物库的多层结构和纯元素的单层结构，eg PMMA/Si3N4/SiO2，单Si层？

2、SiO2使用石英来模拟TFT中的GI层是否有误差，若是不选用石英，如何选择SiO2？

3、离子注入的剂量我们是如何来确定的？剂量 [Atom/cm3]和[Atom/cm2]是如何换算的？

还望大家不吝赐教