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luciferosa木虫之王 (文坛精英)
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CeO2材料氧化预处理后H2-TPR低温区基线抬高的现象 已有4人参与
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大家好！本人最近在研究CeO2材料H2-TPR时候发现一个问题。如下图所示，当CeO2经过O2预处理后（300℃，10% O2/He处理10分钟），低温区（<250℃）出现了明显的基线抬高现象，而同样的材料经过还原预处理（300℃，5% H2/Ar处理10分钟）后就没有类似现象。如果先还原，再氧化，还是会出现同样的基线抬高现象。想请教各位大侠这个低温区的基线抬高该怎么解释呀？谢谢啦！ 另：我用的仪器是麦克的 Autochem II 2920，每次氧化（或者还原）处理后都会降至-20℃通入He吹扫10分钟  演示文稿1_副本.jpg |
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luciferosa
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9楼2015-12-16 07:13:14
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6楼2015-12-15 17:20:16
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
luciferosa: 金币+10, ★有帮助, 谢谢 2015-12-16 07:11:16
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luciferosa: 金币+10, ★有帮助, 谢谢 2015-12-16 07:11:16
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吹扫的时间有点短，还有就是会不会是表面吸附氧脱附了，氧化铈是储氧材料，温度低的时候表面氧并没有被氢还原或是部分被氢还原而更多出现了脱附？ 发自小木虫Android客户端 |
7楼2015-12-15 20:44:31
luciferosa
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谢谢，但我发现不预氧化的话就不会出现这个现象，比如预还原后处理时间和条件都与预氧化一致，却不会有基线抬高。而且以上结果重复性非常好，做了3遍曲线都完全重合，不太像是误差所致，这是何解？ 发自小木虫Android客户端 |
8楼2015-12-16 07:09:51
