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勿忘心安里铁虫 (小有名气)
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[求助]
关于全自动离子束刻蚀机的相关问题 已有2人参与
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请教相关虫友们，关于全自动离子束刻蚀机（如图四）的相关问题。 1、考夫曼离子源的相关参数，目前仪器相对而言还算正常，但是加速级电流容易超过20mA,书上说可以通过降低阴极电流和提高屏极电压来改变，可是效果不明显，反而会影响到其它参数的稳定性。并且我的离子束流密度最大只能到达0.7mA/cm2.(如图一) 2、我调整了刻蚀的离子束入射角度，一般用0度，我分别用15、30、45、60、75度做对比，发现45度时的刻蚀速率最大，但目前表面粗糙度的情况还没有对比。怎么解释这个情况。（我所想到的是从物理轰击后，粒子容易掉落的角度出发，可现在还不能自圆其说，惭愧！） (如图二，实物图) 3、我本想研究腔体压强与刻蚀速率和效果的关系，但是不能实时监控腔体压强值（说明书所说，一旦通入气体，则须关掉真空计，我在刻蚀过程中，是需一直通入氩气的，那就不知道腔体压强了）。我想知道大家是怎么做的，有文献研究了相关问题。(如图三) 4、流量计显示的流量值在刻蚀的过程中会发生跳动，这会影响到刻蚀参数，屏极一下子灭弧了，然后慢慢的变得正常。其实氩气罐事先就把参数调好了，但是不知为何还出现此情况。 5、中和电流和阴极电流，我设定的是中和大于阴极，但是实际却相反，这一点影响大吗？ 感谢回复！  IMG_20151209_105353.jpg  IMG_20151208_174442.jpg  IMG_20151126_174347.jpg  IMG_20151208_095800.jpg |
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 薄膜制备与特性 |
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6楼2015-12-14 07:31:18
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问题1.不了解，建议问离子源生产厂家。2.刻蚀角度可以影响刻蚀速率，理论上讲垂直入射，速率最小。3.高真空规管一般情况下是可以开启的，不让开应该是离子源开启对规管有影响，可以对规管加个屏蔽解决这一问题。4.流量计示数不稳定，很可能是流量计本身有问题，不排除流量计两段压差巨变造成的。5.不了解，建议问厂家。 发自小木虫Android客户端 |
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勿忘心安里2楼2015-12-11 09:56:29
感谢参与，应助指数 +1
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3楼2015-12-12 10:43:40
勿忘心安里
铁虫 (小有名气)
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- 在线: 59.2小时
- 虫号: 3832540
- 注册: 2015-04-25
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
4楼2015-12-12 10:49:53