【答案】应助回帖

31楼2015-12-07 23:46:33

未岸亡灵

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暂时离开小木虫

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【答案】应助回帖

★
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-12-12 13:56:19

引用回帖:

31楼: Originally posted by 不取俗名 at 2015-12-07 23:46:33
您好，请问如何搭建根号乘根号的表面，谢谢
...

改变晶格基矢，也就是切面的时候调整目标面的U V值

32楼2015-12-08 08:30:52

不取俗名

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32楼: Originally posted by 未岸亡灵 at 2015-12-08 08:30:52
改变晶格基矢，也就是切面的时候调整目标面的U V值...

谢谢，请问能举个具体的例子吗，另外，建了这样的表面是通过控制表面的形状，比如建立矩形或正方形这样面积利用率比较高的形状，从而能降低所需原子的数量吗

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33楼2015-12-08 08:42:34

123左叉

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33楼: Originally posted by 不取俗名 at 2015-12-08 08:42:34
谢谢，请问能举个具体的例子吗，另外，建了这样的表面是通过控制表面的形状，比如建立矩形或正方形这样面积利用率比较高的形状，从而能降低所需原子的数量吗
...

百度上有例子，自己搜下

做最好的自己。。。。。。

34楼2015-12-08 09:02:00

不取俗名

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34楼: Originally posted by 123左叉 at 2015-12-08 09:02:00
百度上有例子，自己搜下...

谢谢您

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35楼2015-12-08 09:02:21

123左叉

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25楼: Originally posted by quasimodo~ at 2015-12-07 21:56:59
这种方法是对于错配度适中的情况来说的，简单的取平均值可能不太准确，后续的施加应力也是改变晶格常数的过程，拉应力会使晶格常数增加，压应力使之减小...

您又给的一篇文章是关于氧吸附的，另一篇没找到，所以能否麻烦您详细的讲一下，是直接对形成的界面施加应力吗？拉到什么程度可以，有没有什么标准？还有施加应力的大小又是多少呢？我以前做过拉伸的计算，只是不太了解这里的情况，还要麻烦您解释下，

做最好的自己。。。。。。

36楼2015-12-08 09:43:24

wwyww

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32楼: Originally posted by 未岸亡灵 at 2015-12-08 08:30:52
改变晶格基矢，也就是切面的时候调整目标面的U V值...

你好！借宝地请教一下：改变uv后，晶格失配仍较大，随后建supercell。那么问题来了，晶格失配率是用哪个值来算？是不是最后supercell的？

37楼2015-12-13 16:28:10

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楼主，想问一下，如何搭建根号乘根号的面，谢谢了

38楼2018-08-11 20:13:05