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123左叉

新虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by g_wcai at 2015-12-02 04:15:33
David S.sholl 密度泛函理论,有一章将表面弛豫,以銅为例,给出来的模型是五层,固体最下面的两层作为理想体相,弛豫最上面的三层!昨天正好看过这一部分

很好的一本书,今天下午看了,收获挺多!谢谢!您还看过别的这种类型的书没?关于第一性原理计算的,能否推荐几本!谢谢

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做最好的自己。。。。。。
11楼2015-12-02 17:17:06
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g_wcai

木虫 (正式写手)

开心

我做过异质结,和你做的还有点不一样!!推荐给你一篇文章吧!
Wang W, Xiong K, Wallace R M, et al. Impact of interfacial oxygen content on bonding, stability, band offsets, and interface states of GaAs: HfO2 interfaces[J]. The Journal of Physical Chemistry C, 2010, 114(51): 22610-22618.
作者Wang Weichao 教授有几篇文章适合这个相关的!你看看有用不?!
哈哈,笑口常开!
12楼2015-12-02 20:32:40
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123左叉

新虫 (小有名气)

引用回帖:
12楼: Originally posted by g_wcai at 2015-12-02 20:32:40
我做过异质结,和你做的还有点不一样!!推荐给你一篇文章吧!
Wang W, Xiong K, Wallace R M, et al. Impact of interfacial oxygen content on bonding, stability, band offsets, and interface states of GaAs ...

谢谢您啊!我听过异质结,但不知道是什么东西!我再请教您两个问题,再做界面计算的时候要考虑错配度,之前听一个虫友说,错配度在15%以内可以通过拉伸的方法来解决错配度的问题,不知道这个说法是否正确?您是如何解决错配度的问题的?第二个问题,在优化晶面层的时候您是怎么优化的?是按照密度泛函理论书上那两种方法吗?直接优化所有的原子位置不可以吗?

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做最好的自己。。。。。。
13楼2015-12-02 21:07:44
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g_wcai

木虫 (正式写手)

开心

【答案】应助回帖


liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-12-03 08:06:11
你的第一个问题通过拉伸来调节错配度,我没见过,不评论!但给你的那篇文章是通过旋转取不同晶面来处理失配度的。第二个问题,我觉的你可以做一个层测试,你发现没有,离界面或表面越近,层距越大,一般大于块体层距;越远,反之,接近块体层距。到底多大合适呢?!做个层测试,再决定取舍吧!个人建议仅供参考!!!

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哈哈,笑口常开!
14楼2015-12-02 22:10:57
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123左叉

新虫 (小有名气)

引用回帖:
14楼: Originally posted by g_wcai at 2015-12-02 22:10:57
你的第一个问题通过拉伸来调节错配度,我没见过,不评论!但给你的那篇文章是通过旋转取不同晶面来处理失配度的。第二个问题,我觉的你可以做一个层测试,你发现没有,离界面或表面越近,层距越大,一般大于块体层距 ...

谢谢您啊!

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做最好的自己。。。。。。
15楼2015-12-02 22:25:03
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quasimodo~

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-12-05 08:17:49
在选择晶面的时候最好可以对不同的晶面层进行优化,得到优化后的晶格常数和能量,然后通过优化后的晶格常数和能量进行晶面匹配的选择,当然,有时候可以通过改变晶面的基矢来进行晶面的匹配。如果错配度稍大的话,可以通过对建立后的界面结构加载应力,拉伸和压缩,最后得到最稳定的晶面
我是储氢材料~~
16楼2015-12-04 11:05:33
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123左叉

新虫 (小有名气)

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16楼: Originally posted by quasimodo~ at 2015-12-04 11:05:33
在选择晶面的时候最好可以对不同的晶面层进行优化,得到优化后的晶格常数和能量,然后通过优化后的晶格常数和能量进行晶面匹配的选择,当然,有时候可以通过改变晶面的基矢来进行晶面的匹配。如果错配度稍大的话,可 ...

谢谢您!非常感谢!

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17楼2015-12-04 22:49:16
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123左叉

新虫 (小有名气)

引用回帖:
16楼: Originally posted by quasimodo~ at 2015-12-04 11:05:33
在选择晶面的时候最好可以对不同的晶面层进行优化,得到优化后的晶格常数和能量,然后通过优化后的晶格常数和能量进行晶面匹配的选择,当然,有时候可以通过改变晶面的基矢来进行晶面的匹配。如果错配度稍大的话,可 ...

不是应该先拉或压使上下表面的晶格常数接近了,再组成晶面的吗?

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18楼2015-12-04 22:52:17
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quasimodo~

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
18楼: Originally posted by 123左叉 at 2015-12-04 22:52:17
不是应该先拉或压使上下表面的晶格常数接近了,再组成晶面的吗?
...

这个过程是这样的,你先选择晶面晶格常数较为接近的两个表面组成界面,先选取两表面面积的平均值作为起始,然后再施加应力,这个方法叫做stress balancing, 这里有一篇参考文献 W. H. Sun and G. Ceder, Surf. Sci., 2013, 617, 53–59.,你可以下载下来看一下

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我是储氢材料~~
19楼2015-12-05 09:41:52
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123左叉

新虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
19楼: Originally posted by quasimodo~ at 2015-12-05 09:41:52
这个过程是这样的,你先选择晶面晶格常数较为接近的两个表面组成界面,先选取两表面面积的平均值作为起始,然后再施加应力,这个方法叫做stress balancing, 这里有一篇参考文献 W. H. Sun and G. Ceder, Surf. Sc ...

嗯好!谢谢您啊!

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20楼2015-12-05 10:36:49
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