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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 第一性原理表面及界面计算的几点疑问，希望大神都进来指导一二，感激不尽！！
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123左叉

新虫 (小有名气)
引用回帖:
20楼: Originally posted by 123左叉 at 2015-12-05 10:36:49
嗯好！谢谢您啊！
...

您好！我看了您推荐的那篇文章，文章挺好的！只是英语水平有限有些部分看不懂！我想问您上次说的是不是取两个接近的面的平均面积来调整上下表面的晶格常数，然后再组成界面！我是这样理解的？不知道是不是这样的

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做最好的自己。。。。。。
21楼2015-12-07 16:08:32
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123左叉

新虫 (小有名气)
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19楼: Originally posted by quasimodo~ at 2015-12-05 09:41:52
这个过程是这样的，你先选择晶面晶格常数较为接近的两个表面组成界面，先选取两表面面积的平均值作为起始，然后再施加应力，这个方法叫做stress balancing， 这里有一篇参考文献 W. H. Sun and G. Ceder, Surf. Sc ...

您好，您说的那篇文章我看了，到没看到说stress balancing,您的意思是不是说取两个表面的平均值来修改上下表面的晶格常数，然后再组成界面？我是这样理解的，但是，您后面说的再施加应力我就不懂了！能否麻烦您再帮忙解释下

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22楼2015-12-07 16:15:05
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123左叉

新虫 (小有名气)
引用回帖:
19楼: Originally posted by quasimodo~ at 2015-12-05 09:41:52
这个过程是这样的，你先选择晶面晶格常数较为接近的两个表面组成界面，先选取两表面面积的平均值作为起始，然后再施加应力，这个方法叫做stress balancing， 这里有一篇参考文献 W. H. Sun and G. Ceder, Surf. Sc ...

那篇文章说计算的时候体材料要和表面取相同的K点，我觉得这个太局限了，单个计算还行，放到界面计算，原子数众多，有时还要扩超胞，就不能用了

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23楼2015-12-07 16:26:25
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123左叉

新虫 (小有名气)
引用回帖:
22楼: Originally posted by 123左叉 at 2015-12-07 16:15:05
您好，您说的那篇文章我看了，到没看到说stress balancing,您的意思是不是说取两个表面的平均值来修改上下表面的晶格常数，然后再组成界面？我是这样理解的，但是，您后面说的再施加应力我就不懂了！能否麻烦您再帮 ...

其实我觉得您说的用平均面积作为初始值，即把晶格把上下表面的晶格常数改为平均值，就已经施加了应力了，为什么还要施加应力？

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24楼2015-12-07 19:44:14
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quasimodo~

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
24楼: Originally posted by 123左叉 at 2015-12-07 19:44:14
其实我觉得您说的用平均面积作为初始值，即把晶格把上下表面的晶格常数改为平均值，就已经施加了应力了，为什么还要施加应力？
...

这种方法是对于错配度适中的情况来说的，简单的取平均值可能不太准确，后续的施加应力也是改变晶格常数的过程，拉应力会使晶格常数增加，压应力使之减小
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123左叉
我是储氢材料~~
25楼2015-12-07 21:56:59
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quasimodo~

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
22楼: Originally posted by 123左叉 at 2015-12-07 16:15:05
您好，您说的那篇文章我看了，到没看到说stress balancing,您的意思是不是说取两个表面的平均值来修改上下表面的晶格常数，然后再组成界面？我是这样理解的，但是，您后面说的再施加应力我就不懂了！能否麻烦您再帮 ...

S. Y. Liu, J. X. Shang, F. H. Wang and Y. Zhang, Phys. Rev. B:
Condens. Matter Mater. Phys., 2009, 79, 075419.
W. H. Sun and G. Ceder, Surf. Sci., 2013, 617, 53–59.
你看下这两篇，第二篇应该有stress balancing
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我是储氢材料~~
26楼2015-12-07 22:02:18
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123左叉

新虫 (小有名气)
引用回帖:
25楼: Originally posted by quasimodo~ at 2015-12-07 21:56:59
这种方法是对于错配度适中的情况来说的，简单的取平均值可能不太准确，后续的施加应力也是改变晶格常数的过程，拉应力会使晶格常数增加，压应力使之减小...

嗯好的，我看看！谢谢啦！

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27楼2015-12-07 22:04:40
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123左叉

新虫 (小有名气)
引用回帖:
26楼: Originally posted by quasimodo~ at 2015-12-07 22:02:18
S. Y. Liu, J. X. Shang, F. H. Wang and Y. Zhang, Phys. Rev. B:
Condens. Matter Mater. Phys., 2009, 79, 075419.
W. H. Sun and G. Ceder, Surf. Sci., 2013, 617, 53–59.
你看下这两篇，第二篇应该有str ...

谢谢您啊！

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28楼2015-12-07 22:04:57
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cornerhan

新虫 (小有名气)
研究实际晶体暴露最大的面比较有意义，也就是最稳定的面，铜的话应该是111面吧

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29楼2015-12-07 22:09:50
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123左叉

新虫 (小有名气)
引用回帖:
29楼: Originally posted by cornerhan at 2015-12-07 22:09:50
研究实际晶体暴露最大的面比较有意义，也就是最稳定的面，铜的话应该是111面吧

恩，谢谢您！现在就是固定的Cu（111）面为基地

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30楼2015-12-07 22:13:17
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