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Angmar

木虫 (小有名气)

[求助] 关于PN结的一些问题,希望能得到解答


1.已知PN结在P型和N型半导体之间会因为载流子相互扩散达到平衡形成电场,如图中2区,一般将这个充满电场的区域称为空间电荷区,因为这里不呈现电中性,但有些书以及论文中又直接称其为耗尽层,但个人总认为这个区域中应该只有中间很薄的一层为耗尽层,在2区中远离结的区域应该存在不小的含有载流子的空间电荷区,不知道我的理解是否正确;
2.关于图中3区域P型半导体导带上的被光激发出来的电子,如果这个电子在空间电荷区之外,那么它仅通过热运动能成功进入2区然后达到1区N型半导体导带中吗?也就是说这个电子能对光伏电流做出贡献吗?个人倾向于只是有这个可能性,但不会有大规模的电子仅通过热运动从3区导带进入2区,也就是说在非空间电荷区中产生的光生载流子对光伏电流几乎没有贡献,不知道这样理解是否正确;
3.在The physics of solar cells中提到耗尽层中会产生无效的光吸收,形成dead layer,但是耗尽层应该只是在常态下已有的可移动载流子被耗尽,在光照下应该依旧可以产生载流子才对啊,即使产生的多数载流子会因为电场作用导致复合,但少数载流子还是可以移动形成电流的吧?想不通;
4.由于图中2区空间电荷区的存在,那么在3区中应该会出现一个从3区指向2区的电场,这应该会阻碍少数载流子载流子电子从3区中的导带进入2区吧,这是怎么回事
5.说是控制p-i-n结中的i区宽度可以使i区完全称为耗尽层,我想知道i区完全耗尽时是什么情况,耗尽所有已有载流子?还是说什么情况?

希望能得到解答,希望解答时能提供一下解释,有理有据有说服力,谢谢!

关于PN结的一些问题,希望能得到解答
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冬菇妹

新虫 (初入文坛)

送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by 何章HZ at 2016-01-03 11:47:53
1 理解正确,亲, 但耗尽层相当厚,不是中间薄薄一层。
2 理解又正确,babe,但向左进入耗尽层(贡献)和向右离开的(不贡献)五五开。
3 你在看一眼dead layer指的是啥,我印象中是重掺杂的薄扩散层(ifc-Si电池 ...

请问怎么才能画出比较精确的能带图呢?

发自小木虫IOS客户端
5楼2016-05-05 21:27:03
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作作

银虫 (小有名气)

帮你顶起来。。虽然我也不会~
2楼2015-12-15 21:45:24
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好了加油

新虫 (小有名气)

可以看下 材料物理 这本书,里面有两张纸就是讲p_n结的,好像其中有一点是讲耗尽区时,激发能量不足以使本征载流子的跃迁~具体有点不清楚了,考试时还得看~

发自小木虫IOS客户端
3楼2015-12-16 08:42:39
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何章HZ

新虫 (初入文坛)

1 理解正确,亲, 但耗尽层相当厚,不是中间薄薄一层。
2 理解又正确,babe,但向左进入耗尽层(贡献)和向右离开的(不贡献)五五开。
3 你在看一眼dead layer指的是啥,我印象中是重掺杂的薄扩散层(ifc-Si电池),也可能我记错了due to老年痴呆,表见怪。
4 除了2区,1区和3区都没电场。
5 问题1你想明白了,这个问题就OK了。

PS 画能带图 别忘了Fermi level 有助分析。

一时技痒,祝你新年快乐,金币拿来!

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4楼2016-01-03 11:47:53
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