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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 信息科学 » 电子科学 » 关于理解半导体物理（器件）中PN结的一些问题。
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ycagelulu

铁虫 (初入文坛)

[交流] 关于理解半导体物理（器件）中PN结的一些问题。 已有2人参与

希望路过的你，有一说一。
1、对于PN结反向电流的理解。
     包括耗尽区的漂移电流、中性区的少子扩散电流。主要是漂移电流。
     只是好奇的是其I-V方程中的Jo，貌似是扩散的电流。   
2、如何理解施敏书P117中的“p-n结主要靠少数载流子完成电流输运”？
     PS：正偏时不是多子的扩散么？
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1楼 2014-06-07 09:54:56
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海洋稼柔宝

新虫 (小有名气)
★
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正偏肯定都已经加电压了，应该叫漂移吧
。加反偏电压时是靠少子作为回路的载流子。在电场得作用下电子的运动叫漂移，而因浓度不同引起的电子得运动叫扩散

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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2楼2014-06-07 13:45:49
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michaelily

铁虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
1、反向时耗尽区内电阻很大，只有可以忽略的宏观电流发生；
2. 正偏时，两个中性区肯定是漂移电流。但是耗尽区的电流是两边的少子扩散电流。
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PLANTOGLASGOW
3楼2015-12-10 00:40:38
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