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直流磁控溅射制备金属薄膜，薄膜中氧含量较高 已有2人参与
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| 采用直流磁控溅射制备金属薄膜，直径30mm的小靶，制备的薄膜中一直含有氧，氧含量大于20at%。设备极限真空可以10-6Pa，Ar气也是5个9的高纯Ar气。由于设备限制，沉积前Si片为溅射清洗，但先在上面镀了几十nm的金层，之后再镀膜的。求各位大神赐教，谢谢！ |
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