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直流磁控溅射制备金属薄膜，薄膜中氧含量较高 已有2人参与
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| 采用直流磁控溅射制备金属薄膜，直径30mm的小靶，制备的薄膜中一直含有氧，氧含量大于20at%。设备极限真空可以10-6Pa，Ar气也是5个9的高纯Ar气。由于设备限制，沉积前Si片为溅射清洗，但先在上面镀了几十nm的金层，之后再镀膜的。求各位大神赐教，谢谢！ |
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13楼2015-11-19 17:04:05
2楼2015-11-18 08:50:34
muxiao-chong
木虫 (正式写手)
炉火纯青
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3楼2015-11-18 08:53:23
dwysd
木虫 (著名写手)
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- 注册: 2008-04-03
- 专业: 半导体材料
4楼2015-11-18 10:45:05
