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通过FI-IR判断不同氧化硅表面羟基含量的相对大小已有2人参与
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楼主将两种氧化硅材料KIT-6和G-6做了红外表征，结果如附件所示。 根据文献：3660cm-1附近的峰为氧化硅表面羟基通过氢键作用所产生的缔合羟基，3747cm-1附近的峰为氧化硅表面的自由硅羟基。 我的理解：由于在Si-O-Si （1087, 802, 574, 462cm-1）的峰强度一致的情况下，由于G-6在3660cm-1和3747cm-1，特别是3660cm-1处的强度要高于KIT-6，那么是不是可以说明对比与KIT-6而言，G-6的表面是不是含有更多的表面羟基？ 对此问题已经纠结了很久，非常盼望大家能给我一点建议，关于1）我的观点是否正确 2）如果不正确的话，我应该做其他的什么工作（譬如表征）来验证G-6上具有更多表面羟基？ 欢迎大家指点一二，谢谢！  FT-IR.jpg |
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liwenzheng
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楼主测表面羟基的时候是否对表面进行了脱水处理，看你的1600多一点的地方峰很明显，不知道是否是水。如果是水的话结论就不能轻易的下了。材料不同吸水性不同。建议一百多度左右脱物理吸附水，抽真空三到四小时。再进行比较 发自小木虫Android客户端 |
4楼2016-02-02 11:53:51
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2楼2015-11-25 09:33:03
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楼主你好： 不知楼主问题解决了吗？对照图谱，-OH的出峰位的确很明显，但不排除SIO2表面自身-OH，还有游离水分子的—OH振动，我们使用原位红外做过类似实验，先高温处理后N2吃扫降温，经高真空脱附，N2吹扫，不断切换气体吹扫，在3600cm-1仍有峰出现，有可能来自于气相中-OH， 另外，对于氧化物表明-OH的富集或者脱除都有哪些办法还请楼主多多指教  顺祝春节快乐 |
3楼2016-02-02 01:28:45