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lleng

新虫 (小有名气)

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[求助] 通过FI-IR判断不同氧化硅表面羟基含量的相对大小已有2人参与

楼主将两种氧化硅材料KIT-6和G-6做了红外表征，结果如附件所示。
根据文献：3660cm-1附近的峰为氧化硅表面羟基通过氢键作用所产生的缔合羟基，3747cm-1附近的峰为氧化硅表面的自由硅羟基。
我的理解：由于在Si-O-Si （1087, 802, 574, 462cm-1）的峰强度一致的情况下，由于G-6在3660cm-1和3747cm-1，特别是3660cm-1处的强度要高于KIT-6，那么是不是可以说明对比与KIT-6而言，G-6的表面是不是含有更多的表面羟基？
对此问题已经纠结了很久，非常盼望大家能给我一点建议，关于1）我的观点是否正确 2）如果不正确的话，我应该做其他的什么工作（譬如表征）来验证G-6上具有更多表面羟基？
欢迎大家指点一二，谢谢！

FT-IR.jpg

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Workmakesfolksshine

1楼2015-11-17 22:43:32

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相识是缘

铁杆木虫 (著名写手)

博士

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【答案】应助回帖

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lleng: 金币+10, ★★★很有帮助, 非常感谢你的回复，很有帮助！ 2015-11-25 20:18:21
wonderfulong: 应助指数+1 2016-02-02 16:28:03

个人认为可以，但是需要注意3400cm-1处吸附水的羟基振动，可以结合1640cm-1处的峰判断

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Hope

2楼2015-11-25 09:33:03

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Z11030154

木虫 (正式写手)

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【答案】应助回帖

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wonderfulong: 金币+2, 应助指数+1, 谢谢回帖，欢迎常来交流。 2016-02-02 08:48:56
wonderfulong: 应助指数+1 2016-02-02 16:27:49
lleng: 金币+5, ★★★很有帮助, 多谢回复，应该我请教你们才是。祝新春快乐，新年成果丰硕！ 2016-02-06 23:34:35

楼主你好：
不知楼主问题解决了吗？对照图谱，-OH的出峰位的确很明显，但不排除SIO2表面自身-OH，还有游离水分子的—OH振动，我们使用原位红外做过类似实验，先高温处理后N2吃扫降温，经高真空脱附，N2吹扫，不断切换气体吹扫，在3600cm-1仍有峰出现，有可能来自于气相中-OH，另外，对于氧化物表明-OH的富集或者脱除都有哪些办法还请楼主多多指教