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jugengfans金虫 (正式写手)
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vasp可以计算带电体系，那么现实中一个体系一般能做到带电量多少？1e/unit cell？ 已有5人参与
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vasp有一个NELECT参数，可以控制体系的电荷，比如grep NELECT OUTCAR是50，那么你在INCAR里写49，相当于体系少了一个电子，带正电。而INCAR里写51，就是带一个单位负点。 两个问题： 1.vasp计算的带电体系所给出的能带结构可靠吗？ 2.实际情况中，体系的带电量能达到1个电子/unit cell吗？ 如果能，是通过什么手段注入电荷呢？（加电场？） |
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aaronzjw
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【答案】应助回帖
★ ★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-11-22 08:14:16
jugengfans: 金币+1, ★有帮助, 谢谢。不是的。我们做的体系是薄膜失去电子后的行为。不管局域带电。至于DFT+U，可以对某个原子+一个比较大的U，这样电子容易局域到这个原子周围。这个小技巧是，Ti2O4,将其中一个Ti看成另一种元素，然后在POTCAR 2015-11-22 10:33:04
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liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-11-22 08:14:16
jugengfans: 金币+1, ★有帮助, 谢谢。不是的。我们做的体系是薄膜失去电子后的行为。不管局域带电。至于DFT+U，可以对某个原子+一个比较大的U，这样电子容易局域到这个原子周围。这个小技巧是，Ti2O4,将其中一个Ti看成另一种元素，然后在POTCAR 2015-11-22 10:33:04
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你可以在总电子数上加减你需要带的电量，一般而言，例如PBE泛函描述带电体系，电子是delocalize的。如果采用DFT+U的方法可能将电子 localize 一般带上电荷应该就是为了看他电荷局域的性质吧 |
13楼2015-11-20 15:54:19
binarec
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2楼2015-11-17 19:32:40
binarec
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3楼2015-11-18 00:12:16
jmlv
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