研究方向:
Topological insulators and 2D materials,优先考虑具有丰富材料生长经验或具有低温磁电传输背景的申请者。Institute of Ion Beam Physics and Materials Research@HZDR详细介绍与研究设备可参考以下链接:http://www.hzdr.de/db/Cms?pNid=141。
聘期待遇:
(1) 年薪约22万(税后),表现优异者课题组发放额外奖金;
(2) 根据课题需要和申请人意愿灵活安排出国时间,协助安排国外住宿;
(3) 优先支持以项目负责人身份申请各级科研项目:青年基金、博士后基金、深圳市基础研究项目(最高50万元);
(4) 博士后出站如认定为深圳市高层次专业人才,可获80万住房补贴,留深工作者给予10万元科研启动经费。
(5) 具有海外博士学位或1年以上海外博后经历者(包括本项目),如留校可获300万孔雀计划科研启动经费。
合作导师:
曾昱嘉,深圳大学光电工程学院教授,比利时鲁汶大学(KU Leuven)物理系客座教授,浙江大学硅材料国家重点实验室客座研究员,发表SCI论文66篇,论文引用达2100余次,H因子=22。设计并参与了多个海外重大科研项目,项目经费累计超过400万欧元。长期担任Energy & Environmental Science, Applied Physics Letters, ACS Applied Materials & Interfaces, Nanoscale, CrystEngComm, Journal of Materials Chemistry C, RSC Advances等20余个国际知名期刊审稿人。
阮双琛,教授,博导,深圳大学副校长。获国家科技进步三等奖1次,省部级科技进步一等奖1次、二等奖4次,三等奖2次。曾荣获全国优秀教师、深圳市劳动模范、深圳市十大杰出青年、中国科学院十大杰出青年称号。荣获中国科学院青年科学家奖二等奖、第六届中国青年科技奖、中国光学学会科技奖(王大珩光学奖),入选新世纪百千万人才工程国家级人选。1995年享受国务院政府特殊津贴。
Dr. Shengqiang Zhou, Helmholtz Young Investigator Group Leader, Current research focus: Defect induced magnetism in semiconductors (SiC, ZnO, TiO2); III-V:Mn magnetic semiconductors synthesized by ion implantation and pulsed laser annealing; Highly mismatched alloys synthesized by ion implantation; Hyperdoing semiconductors by ion Implantation. 140 referred papers, >2300 citations, H-index=25, 6 invited conference talks and 4 invited articles/chapters. As the principal investigator, acquired 3 DFG projects and 3 Helmholtz.
联系方式:
联系人:曾老师
E-mail:yjzeng@szu.edu.cn
申请者请将个人简历及其他必要的支持材料发至上述电子邮箱。 |