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Wet etching 工艺腐蚀背部空腔，各位都是怎么保护正面微结构？
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硅基底，正面有微电极Au和敏感层材料Ti，最小尺寸10μm，要在背部刻蚀空腔（绝热槽）。万能的虫友是采用哪种工艺进行保护的？如图，大家给点意见，谢谢~ 1.jpg |
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 薄膜材料和器件制备 |
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binglvyin(金币+1): 谢谢参与
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2楼2015-11-03 11:41:59
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binglvyin(金币+1): 谢谢参与
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3楼2015-11-03 11:57:27
yswyx 
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