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Wet etching 工艺腐蚀背部空腔，各位都是怎么保护正面微结构？
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硅基底，正面有微电极Au和敏感层材料Ti，最小尺寸10μm，要在背部刻蚀空腔（绝热槽）。万能的虫友是采用哪种工艺进行保护的？如图，大家给点意见，谢谢~ 1.jpg |
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2楼2015-11-03 11:41:59
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3楼2015-11-03 11:57:27
yswyx 
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binglvyin4楼2015-11-04 16:13:24
5楼2015-11-04 17:04:18
sunwh_cool
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6楼2015-11-06 10:55:56
sunwh_cool
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7楼2015-11-06 10:57:02