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有关光致发光机理的探讨
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最近在一篇综述上看到这样一段话，原文如下： In general, the intensity of PL of semiconductors decreases as the PL peak broadens with increase in temperature. This phenomenon is typically attributed to the exponential enhancement of nonradiative electron−hole recombination. 作者在解释随着温度的升高，半导体的PL峰宽化而强度减弱的原因时，他说是由于非辐射的电子-空穴复合增强所致。我不是特别理解，我认为温度的升高会使半导体的晶格热振动增强，电子-声子的相互作用增强，电子的能量以热能的形式耗散，因而导致PL峰的强度随着温度的升高而减弱，不知大家怎么看？谢谢。 |
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