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有关光致发光机理的探讨
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最近在一篇综述上看到这样一段话,原文如下: In general, the intensity of PL of semiconductors decreases as the PL peak broadens with increase in temperature. This phenomenon is typically attributed to the exponential enhancement of nonradiative electron−hole recombination. 作者在解释随着温度的升高,半导体的PL峰宽化而强度减弱的原因时,他说是由于非辐射的电子-空穴复合增强所致。我不是特别理解,我认为温度的升高会使半导体的晶格热振动增强,电子-声子的相互作用增强,电子的能量以热能的形式耗散,因而导致PL峰的强度随着温度的升高而减弱,不知大家怎么看?谢谢。 |
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