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CASTEP计算含N有机半导体带隙,DFT+U,如何设置U的值? 已有1人参与
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用CASTEP计算有机半导体,带隙过窄,实验值为~1.5 eV,计算值仅有0.0几 eV。看小木虫帖子说含过渡金属元素或N元素,都会导致计算的带隙过窄。可以通过DFT+U校正一下。我现在用GGA/PBE,请问N的U值应该如何设置? 说是杂化泛函计算这类带隙较好,例如B3LYP,PBE0,但是缺点是费时,我算了一下,超级慢啊,无法计算~ |
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3楼2015-10-19 13:12:58
【答案】应助回帖
感谢参与,应助指数 +1
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这个带隙过小我也遇到过,加U可以查找文献看别人使用的值,但是不推荐这种方法,因为容易被感觉是硬凑出来的,比较推荐HSE06杂化泛函来算,慢是会慢,找好一点的计算资源比如超算来算还是可以的 发自小木虫IOS客户端 |
2楼2015-10-19 12:51:36
【答案】应助回帖
★ ★ ★
mengsk: 金币+3, ★★★很有帮助 2015-10-19 14:18:50
mengsk: 金币+3, ★★★很有帮助 2015-10-19 14:18:50
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HSE06就是杂化泛函,应该可以吧,N也可以加U的,我计算石墨烯纳米带带隙过小就加过,不过发文章编辑不一定认可 发自小木虫IOS客户端 |
» 本帖已获得的红花(最新10朵)
4楼2015-10-19 14:10:58

5楼2015-10-19 14:20:05










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mengsk