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CASTEP计算含N有机半导体带隙，DFT+U，如何设置U的值？ 已有1人参与
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用CASTEP计算有机半导体，带隙过窄，实验值为~1.5 eV，计算值仅有0.0几 eV。看小木虫帖子说含过渡金属元素或N元素，都会导致计算的带隙过窄。可以通过DFT+U校正一下。我现在用GGA/PBE，请问N的U值应该如何设置？ 说是杂化泛函计算这类带隙较好，例如B3LYP，PBE0，但是缺点是费时，我算了一下，超级慢啊，无法计算~ |
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【答案】应助回帖
感谢参与，应助指数 +1
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这个带隙过小我也遇到过，加U可以查找文献看别人使用的值，但是不推荐这种方法，因为容易被感觉是硬凑出来的，比较推荐HSE06杂化泛函来算，慢是会慢，找好一点的计算资源比如超算来算还是可以的 发自小木虫IOS客户端 |
2楼2015-10-19 12:51:36
3楼2015-10-19 13:12:58
【答案】应助回帖
★ ★ ★
mengsk: 金币+3, ★★★很有帮助 2015-10-19 14:18:50
mengsk: 金币+3, ★★★很有帮助 2015-10-19 14:18:50
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HSE06就是杂化泛函，应该可以吧，N也可以加U的，我计算石墨烯纳米带带隙过小就加过，不过发文章编辑不一定认可 发自小木虫IOS客户端 |
» 本帖已获得的红花（最新10朵）
mengsk4楼2015-10-19 14:10:58
5楼2015-10-19 14:20:05
6楼2015-10-19 15:02:10
initio
银虫 (小有名气)
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- 专业: 理论和计算化学
7楼2015-10-19 17:39:12
8楼2015-10-19 21:33:14