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mengsk

金虫 (著名写手)

[求助] CASTEP计算含N有机半导体带隙,DFT+U,如何设置U的值? 已有1人参与

用CASTEP计算有机半导体,带隙过窄,实验值为~1.5 eV,计算值仅有0.0几 eV。看小木虫帖子说含过渡金属元素或N元素,都会导致计算的带隙过窄。可以通过DFT+U校正一下。我现在用GGA/PBE,请问N的U值应该如何设置?
说是杂化泛函计算这类带隙较好,例如B3LYP,PBE0,但是缺点是费时,我算了一下,超级慢啊,无法计算~
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奋斗中的小木虫
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MR.L.413

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
这个带隙过小我也遇到过,加U可以查找文献看别人使用的值,但是不推荐这种方法,因为容易被感觉是硬凑出来的,比较推荐HSE06杂化泛函来算,慢是会慢,找好一点的计算资源比如超算来算还是可以的

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2楼2015-10-19 12:51:36
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mengsk

金虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by MR.L.413 at 2015-10-19 12:51:36
这个带隙过小我也遇到过,加U可以查找文献看别人使用的值,但是不推荐这种方法,因为容易被感觉是硬凑出来的,比较推荐HSE06杂化泛函来算,慢是会慢,找好一点的计算资源比如超算来算还是可以的
...

查了一些文献,基本都是对过渡金属元素加U,没有对N加U的。
HSE06也在CASTEP中吗?
奋斗中的小木虫
3楼2015-10-19 13:12:58
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MR.L.413

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
mengsk: 金币+3, ★★★很有帮助 2015-10-19 14:18:50
HSE06就是杂化泛函,应该可以吧,N也可以加U的,我计算石墨烯纳米带带隙过小就加过,不过发文章编辑不一定认可

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» 本帖已获得的红花(最新10朵)

4楼2015-10-19 14:10:58
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mengsk

金虫 (著名写手)

送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by MR.L.413 at 2015-10-19 14:10:58
HSE06就是杂化泛函,应该可以吧,N也可以加U的,我计算石墨烯纳米带带隙过小就加过,不过发文章编辑不一定认可

发现通过调节scissor的值,可以较好的重复实验的带隙,比如加上个1 or 1.5eV,就可以重复试验的band gap,请问这种方法正确吗?
奋斗中的小木虫
5楼2015-10-19 14:20:05
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MR.L.413

新虫 (小有名气)

我主要是用vasp计算带隙,我不太了解你说的那个软件,那个参数什么物理意义呀?

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6楼2015-10-19 15:02:10
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initio

银虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by MR.L.413 at 2015-10-19 14:10:58
HSE06就是杂化泛函,应该可以吧,N也可以加U的,我计算石墨烯纳米带带隙过小就加过,不过发文章编辑不一定认可

C也能加U,效果如何,U取多少,有相关参考文献吗

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
7楼2015-10-19 17:39:12
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mengsk

金虫 (著名写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by MR.L.413 at 2015-10-19 15:02:10
我主要是用vasp计算带隙,我不太了解你说的那个软件,那个参数什么物理意义呀?

我用CASTEP计算,对于scissor的描述如下:
Scissors: Specify the scissors operator to be used in plotting the band structure.

The scissors operator is only applied for insulating systems, which have a clear separation between valence band and conduction band states. It is ignored for metallic systems.
奋斗中的小木虫
8楼2015-10-19 21:33:14
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