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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » CASTEP计算含N有机半导体带隙，DFT+U，如何设置U的值？
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mengsk

金虫 (著名写手)

[求助] CASTEP计算含N有机半导体带隙，DFT+U，如何设置U的值？ 已有1人参与

用CASTEP计算有机半导体，带隙过窄，实验值为~1.5 eV，计算值仅有0.0几 eV。看小木虫帖子说含过渡金属元素或N元素，都会导致计算的带隙过窄。可以通过DFT+U校正一下。我现在用GGA/PBE，请问N的U值应该如何设置？
说是杂化泛函计算这类带隙较好，例如B3LYP，PBE0，但是缺点是费时，我算了一下，超级慢啊，无法计算~
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奋斗中的小木虫
1楼 2015-10-19 12:40:08
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MR.L.413

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
这个带隙过小我也遇到过，加U可以查找文献看别人使用的值，但是不推荐这种方法，因为容易被感觉是硬凑出来的，比较推荐HSE06杂化泛函来算，慢是会慢，找好一点的计算资源比如超算来算还是可以的

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2楼2015-10-19 12:51:36
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mengsk

金虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by MR.L.413 at 2015-10-19 12:51:36
这个带隙过小我也遇到过，加U可以查找文献看别人使用的值，但是不推荐这种方法，因为容易被感觉是硬凑出来的，比较推荐HSE06杂化泛函来算，慢是会慢，找好一点的计算资源比如超算来算还是可以的
...

查了一些文献，基本都是对过渡金属元素加U，没有对N加U的。
HSE06也在CASTEP中吗？
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奋斗中的小木虫
3楼2015-10-19 13:12:58
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MR.L.413

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
mengsk: 金币+3, ★★★很有帮助 2015-10-19 14:18:50
HSE06就是杂化泛函，应该可以吧，N也可以加U的，我计算石墨烯纳米带带隙过小就加过，不过发文章编辑不一定认可

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mengsk
4楼2015-10-19 14:10:58
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mengsk

金虫 (著名写手)
送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by MR.L.413 at 2015-10-19 14:10:58
HSE06就是杂化泛函，应该可以吧，N也可以加U的，我计算石墨烯纳米带带隙过小就加过，不过发文章编辑不一定认可

发现通过调节scissor的值，可以较好的重复实验的带隙，比如加上个1 or 1.5eV，就可以重复试验的band gap，请问这种方法正确吗？
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奋斗中的小木虫
5楼2015-10-19 14:20:05
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MR.L.413

新虫 (小有名气)
我主要是用vasp计算带隙，我不太了解你说的那个软件，那个参数什么物理意义呀？

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6楼2015-10-19 15:02:10
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initio

银虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by MR.L.413 at 2015-10-19 14:10:58
HSE06就是杂化泛函，应该可以吧，N也可以加U的，我计算石墨烯纳米带带隙过小就加过，不过发文章编辑不一定认可

C也能加U，效果如何，U取多少，有相关参考文献吗

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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7楼2015-10-19 17:39:12
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mengsk

金虫 (著名写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by MR.L.413 at 2015-10-19 15:02:10
我主要是用vasp计算带隙，我不太了解你说的那个软件，那个参数什么物理意义呀？

我用CASTEP计算，对于scissor的描述如下：
Scissors: Specify the scissors operator to be used in plotting the band structure.

The scissors operator is only applied for insulating systems, which have a clear separation between valence band and conduction band states. It is ignored for metallic systems.
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奋斗中的小木虫
8楼2015-10-19 21:33:14
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